中华人民共和国最高人民法院

行 政 判 决 书

（2016）最高法行再19号

再审申请人（一审原告、二审上诉人）：传感电子有限责任公司。住所地：美利坚合众国佛罗里达州博卡拉顿市交易中心****。

法定代表人：迈克尔·威廉姆·瑞恩，该公司总裁。

委托诉讼代理人：吴丽丽，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人。

委托诉讼代理人：王会卿，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人。

被申请人（一审被告、二审被上诉人）：国家知识产权局专利复审委员会。住所地：。住所地：中华人民共和国北京市海淀区北四环西路**银谷大厦**v>

法定代表人：葛树，该委员会副主任。

委托诉讼代理人：阮文，该委员会审查员。

委托诉讼代理人：万琦，该委员会审查员。

一审第三人：宁波讯强电子科技有限公司。住所地：中华人民。住所地：中华人民共和国浙江省宁波市北仑明州西路**iv style='LINE-HEIGHT: 25pt; TEXT-INDENT: 30pt; MARGIN: 0.5pt 0cm;FONT-FAMILY: 宋体; FONT-SIZE: 15pt;'>法定代表人：李霖，该公司总经理。

委托诉讼代理人：郝传鑫，广州三环专利代理有限公司专利代理人。

再审申请人传感电子有限责任公司（以下简称传感电子公司）因与被申请人国家知识产权局专利复审委员会（以下简称专利复审委员会）、一审第三人宁波讯强电子科技有限公司（以下简称讯强公司）发明专利权无效行政纠纷一案，不服北京市高级人民法院（2013）高行终字第961号行政判决，向本院申请再审。本院于2015年12月18日作出(2014)知行字第96号行政裁定，提审本案。本院依法组成合议庭对本案进行了审理，现已审理终结。

本案涉及专利号为97197519.1，名称为"具有低矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器"发明专利（以下简称涉案专利），其优先权日为1996年8月28日，申请日为1997年8月21日，专利权人为传感电子公司。

2010年4月27日，讯强公司向专利复审委员会提出无效宣告请求，请求宣告涉案专利权全部无效。其理由为：1.涉案专利各权利要求均不符合2001年修正的《中华人民共和国专利法》（以下简称专利法）第二十六条第三、四款的规定；2.涉案专利各权利要求均不符合2001年修订的《中华人民共和国专利法实施细则》（以下简称专利法实施细则）第二十条第一款的规定；3.涉案专利独立权利要求1、4、9、14、20、25、30、37不符合专利法实施细则第二十一条第二款的规定；4.权利要求5-8、10-19、25-35的修改不符合专利法第三十三条的规定；5.相对于证据4，权利要求1-3、20-24、37、42、44、46、47不符合专利法第二十二条第二、三款关于新颖性、创造性的规定；6.相对于证据4、6的结合，权利要求1-4、20-25、37、42、44、46、47不符合专利法第二十二条第三款关于创造性的规定；7.相对于证据4至6的结合，权利要求1-4、6、7、9、11、12、20-25、37、42、44、46、47不符合专利法第二十二条第三款关于创造性的规定。

涉案专利授权公告的权利要求1-47如下：

“1.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe。

2.一种如权利要求1所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于200Hz/Oe。

3.一种如权利要求2所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于400Hz/Oe。

4.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述的偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。

5.一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。

6.一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于40Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。

7.一种如权利要求6所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于20Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。

8.一种如权利要求7所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。

9.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe。

10.一种如权利要求9所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。

11.一种如权利要求10所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200Oe。

12.一种如权利要求11所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150Oe。

13.一种如权利要求12所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于50Oe。

14.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：

(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平。

15.一种如权利要求14所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。

16.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为20Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。

17.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于100Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平。

18.一种如权利要求17所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为12Oe的AC磁场Hmd中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。

19.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于30Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平。

20.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器的目标共振频率与所述电子货品监视用系统的操作频率相对应，所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz。

21.一种如权利要求20所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。

22.一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。

23.一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz。

24.一种如权利要求23所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为20Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz。

25.一种使用在可以按预定频率发出呈间歇式脉冲串的标识器问询信号的磁力式电子货品监视用系统中的标识器，这种标识器包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号。

26.一种如权利要求25所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。

27.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于25Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％。

28.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于30Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％。

29.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％。

30.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，从而使所述偏磁元件在完全磁化且未设置在所述标识器中时曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述AC磁场将使所述的偏磁元件的磁化水平产生明显降低，而且当所述偏磁元件被完全磁化且配置在所述标识器中与所述磁致伸缩元件相邻近的位置处，并且使所述偏磁元件在曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述磁致伸缩元件使磁通由所述偏磁元件处偏移开，从而使所述偏磁元件的磁化基本上不会受到所述AC磁场的影响。

31.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Metg1as2605SB1材料形成。

32.一种如权利要求31所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Metglas2628MB材料形成。

33.一种如权利要求31所述的标识器，其特征在于所述非结晶型磁致伸缩元件由Metglas2628CoA材料形成。

34.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Vacozet材料形成。

35.一种如权利要求34所述的标识器，其特征在于所述非结晶型磁致伸缩元件由Metglas2628CoA材料形成。

36.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述AC磁场的一定峰值幅度范围由5Oe至15Oe。

37.一种对使用在磁力式EAS系统中的EAS标识器实施活化和退活化用的方法，这种方法包括以下步骤：设置一个由一个非结晶型磁致伸缩元件和一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件构成的EAS标识器；磁化所述偏磁元件，使所述偏磁元件产生一个对所述磁致伸缩元件实施偏置的磁场，以便在所述EAS系统的运行频率下形成共振；通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150Oe的AC磁场中的方式，对所述EAS标识器实施退活化。

38.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于4Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。

39.一种如权利要求38所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于20Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。

40.一种如权利要求38所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于100Oe的AC磁场中的方式实施的。

41.一种如权利要求40所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于12Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。

42.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于30Oe的AC磁场中的方式实施的。

43.一种如权利要求42所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于4Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。

44.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于16Oe的AC磁场中的方式实施的。

45.一种如权利要求44所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于6Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。

46.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之后实施的。

47.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之前实施的。”

涉案专利说明书记载的背景技术为：

“在常规的磁力式EAS标识器中，偏磁元件是由诸如‘SemiVac90’（以下简称S材料）等半硬化磁性材料构成的，这类材料可以由德国Hanau的Vacuumschmelze处购得。S材料的矫顽磁力大约为70至80Oe。目前一般认为，偏磁元件的矫顽磁力至少要为60Oe，以防止在标识器的储存、运输或装卸时所可能会出现的磁场作用下而使偏置磁铁意外地退磁化（进而使标识器退活化），S材料需要位于450Oe或更高的DC磁场中以达到99%的磁化饱和，并且需要接近200Oe的AC退磁化磁场实施95%的退磁化。

由于需要使用比较高的AC退活化磁场，所以产生AC退活化磁场的常规装置必须按脉冲方式运行，以减少能量损耗，并满足管理规章的限制。然而由于AC磁场仅仅是以脉冲形式产生的，所以就必须确保标识器在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近。目前已知的确保在产生有脉冲时标识器在退活化装置附近的技术包括，响应装置操作者的人工输入而产生出脉冲的技术，以及将标识器检测电路设置在退磁化装置中的技术等等。前一种技术是将这一负担加在操作该退活化装置的操作者的身上，而且这两种技术均对部件有一定的限制，这会增大退活化装置的成本。而且，以脉冲形式产生退活化磁场时还会使发出磁场用的线圈变热，所以还需要使装置中的电子部件有较高的质量，进而使成本进一步增大。将足够强的退活化磁场施加在标识器上的困难，还会由于不断增加着的‘源标记（sourcetagging）’通用操作而增大，即在生产过程中，在生产工厂或分配站点对商品的包装过程中，将EAS标识器固定于货品之上。而且在某些场合下，标识器可能会被定位粘结在商业制品上难以、甚至不可能与常规的退磁化装置相接近的位置。”

涉案专利说明书记载的发明目的及发明概述为：

“本发明的一个目的就是提供一种可以通过施加其强度比对常规磁力式标识器实施退活化用的强度更低的退活化磁场的方式实施退活化的磁力式EAS标识器。

本发明的另一个目的就是提供一种可以通过连续方式而不是以脉冲形式产生的磁场实施退活化的磁力式EAS标识器。

本发明的还一个目的就是提供一种可以在标识器与退活化装置之间的距离比常规磁力式标识器与常规退活化装置之间的距离更大的条件下实施退活化的磁力式标识器。

本发明的再一个目的就是提供一种可以比常规磁力式标识器更容易实施退活化的磁力式标识器。

本发明的又一个目的就是提供一种可以使用其强度比活化常规磁力式标识器用的磁场强度更低的DC磁场实施活化的磁力式标识器。

根据本发明所提供的原理，磁力式标识器是使用具有相当低的矫顽磁力特性的控制元件构成的，而且当施加有水平相当低的磁场时，标识器的共振频率也可以产生相当急剧的漂移。因此，本发明可以降低由标识器退活化装置所产生的磁场水平，进而使得可以产生连续的退活化磁场。因此，本发明不再需要在退活化装置中配置标识器检测电路，也不再需要由退活化装置的操作者在需要被退活化的标识器位于该退活化装置附近时，人工触发退活化磁场脉冲。”

涉案专利说明书中“对附图的简要说明”的记载为：

“图3与图2相类似，为表示一种根据本发明构造的磁力式标识器的共振频率和输出信号振幅与施加在该标识器上的退磁化磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图。

图5为表示磁化水平与所施加的AC退活化磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图，该AC退磁化磁场是施加在根据本发明构造的、在这一实例中被用作为磁力式标识器中的偏磁元件的完全磁化元件上的。

在图3中，参考标号24表示的是一种根据本发明构成的、采用MagnaDur材料（以下简称M材料）制作偏磁元件的标识器的共振频率漂移特性曲线，该曲线随着所施加的退磁化磁场的变化而变化。曲线26表示的是一种根据本发明构成的标识器的输出信号特性曲线，该曲线也随着所施加的退磁化磁场的变化而变化。如曲线26所示的输出水平随按曲线24上的相应点处所示的共振频率产生的问询信号的变化而变化。

如图3所示的特性曲线中的一个重要特点在于，大约为60.5KHz的最大共振频率漂移可以在所施加的退磁化磁场强度低至大约35Oe时获得，如图3所示的频率漂移特性曲线24中的突变或称急剧变化也是相当明显的：在其突变点处，曲线24的变化梯度超过200Hz/Oe。与此不同，如图2所示的曲线20在任何一处的梯度均不超过大约60Hz/Oe。曲线20的梯度在其所有的点处都远低于100Hz/Oe。

图4和图5分别示出了制作本发明中的偏磁元件用的M材料的磁化特性曲线和退磁化特性曲线。

在图4中，参考标号Mra表示的是对材料实施饱和磁化时用的水平，参考标号Ha表示的是在材料中产生饱和磁化时所需要的DC磁场强度。

正如图4所示，如果将大约为150Oe的DC磁化磁场施加在处于非磁化状态的M材料上时，将使该材料基本上完全磁化。与此相对应的是，要使S材料产生完全磁化，则需要水平为450Oe或更高的DC磁场。

在图5中，参考标号Mrs表示的是达到95%的磁化饱和时的磁化水平，参考标号Hms表示的是当其施加在处于饱和状态的材料上时，不会使该材料退磁化至饱和状态的95%以下的AC磁场的水平。而且，参考标号Mrd表示的是形成5%的饱和磁化时的磁化水平，参考标号Hmd表示的是当其施加在处于饱和状态的材料上时，将使该材料退磁化至饱和状态的5%以下的AC磁场的水平。

正如图5所示，如果将一个由M材料制作的完全磁化偏磁元件放入100Oe的AC退磁化磁场中，将退磁化至完全磁化的5%以下。而且，M材料对于所施加的AC磁场为大约20Oe或更低时具有一个“稳定”区域，这使得这种材料的磁化基本上不会受到所施加的、不高于20Oe的AC磁场的影响。因此，配置有作为偏磁元件的M材料的标识器在环境磁场不超过20Oe时，将不会产生比较大的意外退磁化。

根据本发明构造的磁力式标识器，由于其中的偏磁元件是用诸如M材料等具有相当低的矫顽磁力特性的材料制作的，所以可以用比在常规条件下所需要的强度低得多的AC退活化磁场实施退活化。这使得根据本发明构造的标识器可以在不非常靠近退活化装置的位置处实施退活化，而对于在先技术则必须要非常靠近退活化装置。因此，本发明实际上还提供了一种可以在比常规退活化装置低得多的水平下运行的退活化装置。由于退活化所需的水平比常规技术中的更低，所以可以使用速率更低的部件，并且可以连续地产生退活化磁场，而在常规的退活化装置中则必须采用脉冲型磁场。由于可以使用连续地、相当低的退活化磁场，所以不再需要在退活化装置中配置检测标识器是否出现的电路，以及供装置操作者触发退活化磁场脉冲用的电路。这可以降低与该退活化装置相关的成本，并且可以消除操作者触发脉冲退活化装置的工作。

而且，根据本发明构成的、由具有相当低的矫顽磁力特性的偏磁元件构成的标识器与使用S构成的偏磁元件的标识器相比，可以利用原有的退活化装置并可以更容易地实施退活化。

在根据本发明构造的第三实施例中，标识器10中的偏磁元件16是采用所谓的Vacozet合金（以下简称V材料）构成的。这种V材料的矫顽磁力为22.7Oe（在这儿采用的是V材料的参考数据）。

V材料的磁化特性示出在图9中，而且这种材料的退磁化特性示出在图10中。正如图9所示，大约为50Oe的DC磁场足以使该材料基本上完全磁化。图10表明，如果将由V材料制作的，完全磁化的偏磁元件放置在大约30Oe的AC退磁化磁场中，该元件将被退磁至完全磁化的5%以下。正如SB1材料那样，当这种V材料曝露在低水平的AC磁场中，比如说曝露在峰值幅度为6至15Oe的AC磁场中时，它将具有一定的稳定性。但是当其曝露在峰值幅度为5Oe或更低的AC磁场中时，这种材料的磁化将降低5%以下。

图11示出了采用V材料制作偏磁元件，采用2628CoA材料制作可激活型元件时的标识器的共振频率漂移特性曲线和输出信号幅度特性曲线。在图11中，曲线32表示的是使用V材料的标识器的共振频率漂移的特性曲线，该曲线随着所施加的退磁化磁场的强度变化而变化，曲线34表示的是该标识器的输出信号幅度的特性曲线。曲线32可以参考图中右侧处的标尺（千赫兹）进行说明，曲线34可以参考图中左侧处的标尺（微伏）进行说明。”

2012年2月29日，专利复审委员会作出第18161号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定）。被诉决定认定：涉案专利权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46、47不能得到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定，故宣告所述权利要求无效。专利复审委员会在权利要求5、8、13、19、27、28、31-33、36、43、45的基础上维持专利权继续有效。

被诉决定认为，关于现有技术中存在的问题，以及本发明解决的技术问题或要得到的技术效果。根据涉案专利说明书背景技术中的记载，对于标识器的偏磁元件，现有技术中一般认为其矫顽磁力至少要为60Oe，以防止偏置元件在标识器储存、运输或装卸期间可能会出现的磁场作用下意外退磁化，进而使标识器退活化，因此需要使用较高的AC退活化磁场，而在这种情况下为减少能量损耗以符合规章规定，AC退活化磁场的产生装置必须按脉冲方式运行。相应地，标识器必须确保在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近。同时，背景技术中例举了一种现有偏磁元件材料S，并对该材料的磁学特性进行了描述，例如其矫顽磁力约为70至80Oe，至少需要450Oe的DC磁场才能达到99%的磁化饱和，需要约200Oe的AC退磁化磁场才能实现95%的退磁化。被诉决定认为，现有技术中存在的问题是：为防止偏置元件在标识器储存、运输或装卸期间可能会出现的磁场作用下意外退磁化，通常要求偏磁元件的矫顽磁力至少为60Oe，导致标识器需要较高的退活化磁场，其具体表现是AC退活化磁场必须为脉冲形式，标识器在退活化时必须在退活化场产生装置附近等。相应地，本发明所要解决的技术问题或要得到的技术效果是获得在常规操作期间不被意外退活化，同时退活化磁场小于利用Hc≥60Oe的偏磁元件的常规标识器的标识器，而不只是单独地要去解决现有技术中使用到的某种偏磁元件材料的DC饱和磁场过高（≥450Oe）或实现95%退磁化需要的AC退磁化磁场过大（约为200Oe）的问题。

关于涉案专利说明书中公开的三个实施例，被诉决定认为，三个实施例分别以M材料、SB1材料和V材料作为偏磁元件材料。本领域技术人员根据以SB1为偏磁元件的实施例，能够获得退活化磁场小于常规标识器，且在常规操作环境下不会意外退活化的标识器，即能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果。因此，以SB1为偏磁元件的实施例属于说明书中充分公开的内容。然而，涉案专利说明书中以M材料、V材料为偏磁元件的实施例中，均存在偏磁材料特性与标识器特性相矛盾的描述，使得本领域技术人员无法确信这两个实施例能够解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果，因此，这两个实施例不属于说明书中充分公开的内容。

关于权利要求1-47是否符合专利法第二十六条第四款的规定，被诉决定分别认定如下：

（一）关于权利要求1-3

讯强公司认为，根据涉案专利说明书充分公开的内容，仅当所施加的退磁化磁场在特定区间时，标识器才具有共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe的特性，且说明书中仅公开了共振频率漂移梯度约为100Hz/Oe、200Hz/Oe、400Hz/Oe的实施例，由此不能概括得出权利要求1的特征“所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe”，权利要求1得不到说明书支持；其从属权利要求2-3也因为存在相同问题而得不到说明书的支持。

传感电子公司认为，涉案专利的第一实施例中随退活化磁场变化的漂移部分所对应的退活化磁场的具体区间范围均不相同，这说明涉案专利可以在不同的“随退活化磁场变化”的区间都获得大于100Hz/Oe的漂移梯度，且涉案专利说明书中已公开了共振频率漂移梯度超过100Hz/Oe、200Hz/Oe、400Hz/Oe的多个实施例，由这些内容能够概括得到权利要求1限定的技术方案，权利要求1符合专利法第二十六条第四款的规定。

专利复审委员会认为，首先，涉案专利说明书中仅充分公开了以SB1制作标识器中偏磁元件的技术方案，其中SB1材料是矫顽磁力Hc约为19Oe的半硬化材料，该材料在单独置于约15Oe的AC磁场中将退磁化至完全磁化的约70%，而当其与2628CoA合金材料一起形成标识器时，标识器在环境磁场不超过15Oe时共振频率基本不变，同时该标识器在约20-25Oe的AC退活化磁场区间内具有超过100Hz/Oe的共振频率漂移梯度。涉案专利权利要求1请求保护使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，该权利要求1中的特征“所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe”使得该权利要求1的保护范围覆盖了所有共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的标识器，其中包括例如以软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，以及利用Hc大于60Oe且具有使标识器的共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的退磁特性的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案。然而，涉案专利说明书中仅充分公开了一个以半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，本领域技术人员基于涉案专利申请日之前的知识，无法预测利用软磁材料制作标识器的偏磁元件也能够确保标识器在曝露于常规操作期间可能出现的低水平磁场中时不会意外退活化，从而解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果；此外，对于以Hc大于60Oe且具有使标识器共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的退磁特性的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，尽管可能使标识器获得大于100Hz/Oe的共振频率漂移梯度，但其不能使标识器的退活化磁场低于采用Hc≥60Oe的偏磁元件的常规标识器，解决不了本发明所要解决的降低退活化磁场技术问题。由此可见，该权利要求1限定的技术方案中不仅包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，而且还覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式。因此，该权利要求1得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

其次，基于与权利要求1相似的理由可知，权利要求2和3的保护范围中同样既包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，该权利要求2和3得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。由于权利要求1-3不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求1-3的其它无效理由进行评述。

（二）关于权利要求4-8

讯强公司认为，涉案专利说明书未公开矫顽磁力在10-18Oe和23-55Oe区间的半硬化磁性材料同样可用于制作本发明的偏磁元件，因此权利要求4中的特征“偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求5也存在同样问题，也不符合专利法第二十六条第四款的规定；权利要求6、7中的“偏磁元件由具有小于40Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”、“偏磁元件由具有小于20Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”的概括也得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

传感电子公司认为，涉案专利说明书对半硬化材料的定义是针对一般情况的，广义来说半硬化材料可以具有小于10Oe的矫顽磁力，涉案专利说明书已公开了矫顽磁力为11Oe、20Oe、19Oe、22.7Oe的多个实施例，本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件的矫顽磁力至多个需要水平，因此基于说明书的多个实施例能够概括得出“偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”。同理权利要求5-8的技术方案也能够从说明书的多个实施例中概括得出，符合专利法第二十六条第四款规定。

专利复审委员会认为，首先，涉案专利说明书充分公开了以SB1材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，其中SB1材料具有19Oe的矫顽磁力，能够使标识器具有超过100Hz/Oe的漂移梯度。涉案专利权利要求4中的特征“偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”使得该权利要求4不仅包括利用Hc小于55Oe且具有陡峭的退磁化曲线（例如使标识器具有大于100Hz/Oe的共振频率漂移梯度）而使其具有一定低场稳定性的半硬化材料制作标识器偏磁元件的技术方案，还包含了利用Hc小于55Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器偏磁元件的技术方案，显然，采用这种Hc小于55Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即，该技术方案不能解决本发明所要解决的技术问题且难以获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求4的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式。因此，该权利要求4得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

其次，权利要求6是权利要求4的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定“偏磁元件由具有小于40Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”，权利要求7是权利要求6的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定“偏磁元件由具有小于20Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”，通过与关于权利要求4类似的分析可以得出，权利要求6和7限定的范围中均覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，不符合专利法第二十六条第四款的规定。由于权利要求4、6-7不符合专利法第二十六条第四款的规定，专利复审委员会不再对有关权利要求4、6-7的其它无效理由进行评述。

再次，权利要求5是权利要求4的从属权利要求，其进一步限定了标识器中的偏磁元件由Hc小于55Oe，且当处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为4Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上的半硬化材料制成，这使得该标识器在常规操作时可能出现的环境磁场中不会意外发生退活化。因此，结合上述分析可知，涉案专利说明书充分公开了SB1材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，本领域技术人员基于说明书充分公开的内容可以合理预测利用权利要求5中限定的偏磁元件均能够使得标识器在小于常规标识器的退活化磁场中实现退活化，同时确保在常规操作时可能出现的环境磁场中不发生退活化，该权利要求5能够得到说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。基于类似的理由，权利要求8也符合专利法第二十六条第四款的规定。

（三）关于权利要求9-13

讯强公司认为，权利要求9中的“偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出。其从属权利要求10-13也存在同样问题，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

传感电子公司认为，涉案专利说明书中公开了使偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场强度小于150Oe、50Oe的实施例，且本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件以在各种不同的磁化磁场水平下实现饱和，因此权利要求9符合专利法第二十六条第四款的规定。同理，其从属权利要求10-13也符合专利法第二十六条第四款的规定。

专利复审委员会认为，首先，涉案专利权利要求9中的特征“偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe”限定了标识器的偏磁元件可以采用任何一种Ha小于350Oe的半硬化材料。然而，在涉案专利说明书充分公开的内容中，只记载了一种Hc在70至80Oe之间的半硬化材料SB1的Ha约为450Oe，尽管磁性材料的饱和DC磁场通常是随着矫顽磁力Hc减小呈现减小趋势的，但是本领域技术人员仅根据说明书公开的上述内容，难以预测Ha小于350Oe的半硬化材料所具有的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，该权利要求9限定的技术方案中显然包含了专利权人推测的内容，其效果又难以确定；另外，该权利要求9限定的范围中还包括了利用Hc小于60Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，该方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求9限定的技术方案中既包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式。因此，该权利要求9概括过宽，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

其次，权利要求10是权利要求9的从属权利要求，其进一步限定了“偏磁元件在完全磁化且曝露于具有峰值幅度为4Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上”，而根据有关权利要求9的评述可以得出，权利要求10限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，因此该权利要求10同样存在概括过宽的问题，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定；权利要求11是权利要求10的从属权利要求，其进一步限定“使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200Oe”，权利要求12是权利要求11的从属权利要求，其进一步限定“使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150Oe”，同样依据关于权利要求9的评述可以得出，本领域技术人员仅仅根据说明书公开的上述内容难以预测Ha小于200Oe和150Oe的半硬化材料所具有的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，该权利要求11和12限定的技术方案中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，该权利要求11和12概括过宽，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。由于权利要求9-12不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求9-12的其它无效理由进行评述。

再次，权利要求13是权利要求12的从属权利要求，其中限定了标识器中的偏磁元件由饱和DC磁场Ha小于50Oe、且当处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为4Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上的半硬化材料制成。本领域技术人员公知的是，磁性材料的饱和DC磁场Ha要大于或等于其矫顽磁力Hc，由此可见，权利要求13限定的标识器中的偏磁元件的矫顽磁力Hc应小于50Oe，因此该标识器能够通过比利用Hc大于60Oe的半硬化材料制作偏磁元件的常规标识器小的退活化磁场实现退活化，同时，权利要求13限定了偏磁元件在处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为4Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上，由涉案专利说明书中关于SB1作为偏磁元件的实施例可知（例如参见图6），SB1材料的偏磁元件在峰值幅度为4Oe的AC退磁化磁场中时，磁化水平保持在完全磁化水平的95%以上，由此可以推知，该权利要求限定的标识器能够在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。由此可见，本领域技术人员基于说明书充分公开的内容可以合理预测权利要求13所覆盖的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果。因此，该权利要求13能够得到说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。

（四）关于权利要求14-19

讯强公司认为，权利要求14中的“偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的水平”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出。其从属权利要求15-19也存在同样问题，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

传感电子公司认为，涉案专利说明书的各个实施例公开了使用小于100、30Oe的AC退磁化磁场，因此该权利要求14的技术方案得到了说明书各个实施例充分支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。同理，其从属权利要求15-19也符合专利法第二十六条第四款的规定。

专利复审委员会认为，首先，涉案专利权利要求14中的特征“偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的水平”限定了标识器的偏磁元件可以采用任何在峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场下退磁至不超过完全磁化水平的5%的半硬化材料。然而，如前所述，在涉案专利说明书充分公开的内容中，只公开了在峰值幅度约为20－30Oe下实现95%退磁且具有陡峭退磁化曲线而使标识器具有低场稳定性的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，另外在说明书中还记载了一种Hc在70至80Oe之间且退磁化曲线较为平缓的半硬化材料SB1，其实现95%退磁需要约200Oe的AC退磁化磁场。尽管磁性材料实现95%退磁所需要的AC退磁化磁场通常是随着矫顽磁力Hc减小而减小的，但是本领域技术人员仅仅根据说明书公开的上述内容，难以预测实现95%退磁所需AC退磁化磁场小于150Oe的半硬化材料所具有的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，即该权利要求14限定的技术方案中显然包含了专利权人推测且效果难以确定的内容。另外，权利要求14限定的范围中还包含利用Hc小于60Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，该技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现标识器的退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，权利要求14限定的技术方案中既包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，故权利要求14概括过宽，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

其次，权利要求15是权利要求14的从属权利要求，其进一步限定“偏磁元件在处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为4Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上”，权利要求16是权利要求15的从属权利要求，其进一步限定偏磁元件在处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为20Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上，而通过与前面关于权利要求14相似的分析可以得出，权利要求15和16限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，该权利要求15和16同样存在概括过宽的问题，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

再次，权利要求17是权利要求15的从属权利要求，其进一步限定“偏磁元件AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于100Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5%的水平”，权利要求18是权利要求17的从属权利要求，其进一步限定偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为12Oe的AC磁场Hmd中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上，而通过与前面关于权利要求14相似的分析可以得出，权利要求17和18限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，该权利要求17和18同样存在概括过宽的问题，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。由于权利要求14-18不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求14-18的其它无效理由进行评述。

复次，权利要求19是引用权利要求15的从属权利要求，其限定了标识器的偏磁元件可以采用任何在峰值幅度小于30Oe的AC退磁化磁场下从完全磁化水平退磁至不超过完全磁化水平的5%且在峰值幅度为4Oe的AC磁场下磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上的半硬化材料制成。尽管涉案专利说明书充分公开了在峰值幅度约为30Oe下实现95%退磁的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，能使标识器通过比常规标识器小的退活化磁场实现退活化，但是，由于磁性材料实现95%退磁所需要的AC退磁化磁场通常是随着矫顽磁力Hc减小而减小的，因此本领域技术人员可以合理预测利用在峰值幅度小于30Oe的AC退磁化磁场下退磁至不超过完全磁化水平的5%的半硬化材料制作偏磁元件，也应当能够使标识器所需要的退活化磁场小于常规标识器，同时权利要求19限定了标识器中的偏磁元件在处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为4Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上。由涉案专利说明书中关于SB1作为偏磁元件的实施例可知（例如参见图6），SB1材料的偏磁元件在峰值幅度为4Oe的AC退磁化磁场中时，磁化水平保持在完全磁化水平的95%以上。由此可以推知，该权利要求限定的标识器能够在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。由此可见，本领域技术人员可以合理预测权利要求19所覆盖的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果。因此，权利要求19能够得到说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。

（五）关于权利要求20-24

讯强公司认为，权利要求20中的“所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求21-24也存在同样问题，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

传感电子公司认为，涉案专利说明书的各个实施例公开了在30和35Oe的AC退磁化磁场下标识器具有1.5kHz的频率漂移，因此该权利要求20的技术方案得到了说明书各个实施例充分支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。同理，其从属权利要求21-24也符合专利法第二十六条第四款的规定。

专利复审委员会认为，首先，涉案专利权利要求20中的特征“所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz”覆盖了所有在峰值幅度小于50Oe的AC退活化磁场中共振频率相对于目标共振频率漂移至少1.5kHz的标识器。然而，涉案专利说明书充分公开了利用SB1材料制作标识器偏磁元件的技术方案能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果，其中该标识器的共振频率在30Oe的AC退活化磁场中相对于目标共振频率漂移1.5kHz，同时说明书中还记载了一种现有技术中的标识器，其中以Hc为70-80Oe且退磁化曲线较为平缓的半硬化材料S制作标识器的偏磁元件，该标识器的共振频率在50Oe的AC退活化磁场中相对于目标共振频率漂移小于1.5kHz。尽管使标识器共振频率相对于目标共振频率漂移1.5kHz所需要的AC退活化磁场通常是随着标识器中偏磁元件的矫顽磁力减小而降低的，但是本领域技术人员仅根据说明书公开的上述内容，难以预测使得标识器共振频率相对于目标共振频率漂移1.5kHz所需要的AC退活化磁场小于50Oe的偏磁材料所具有的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场。另外，该权利要求20还包含了利用软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，而在涉案专利申请日之前，基于本领域技术人员对软磁材料特性的了解（例如矫顽磁力低，极易退磁化），仅根据涉案专利说明书公开的内容无法预测利用软磁材料制作标识器的偏磁元件也能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求20限定的技术方案中包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

其次，权利要求21-24是直接或间接引用权利要求20的从属权利要求，其附加技术特征分别对标识器的共振频率漂移特性进行了限定。然而，这些权利要求所限定的范围中均覆盖了以软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，基于与前面相同的理由，本领域技术人员基于说明书充分公开的内容无法预测利用软磁材料制作标识器偏磁元件的技术方案也能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果，这些权利要求21-24限定的范围中包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

由于权利要求20-24不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求20-24的其它无效理由进行评述。

（六）关于权利要求25-29

讯强公司认为，权利要求25中的“所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求26-29也存在同样问题，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

传感电子公司认为，权利要求25中的“在低于35Oe的AC退活化磁场中降低A1输出信号水平的至少50%”，是克服现有技术的技术偏见的教导，符合专利法第二十六条第四款规定。同理，权利要求26-29也符合专利法第二十六条第四款规定。

专利复审委员会认为，首先，涉案专利权利要求25中的特征“所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号”覆盖了所有在峰值幅度小于35Oe的AC退活化磁场中标识器的A1输出信号降低标识器曝露在退磁化磁场之前产生的A1输出信号水平的至少50％的标识器。涉案专利说明书充分公开了以SB1材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，使得标识器通过比利用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器小的退活化磁场实现退活化，其中SB1材料的矫顽磁力为19Oe，该标识器曝露于约25Oe的AC退活化磁场中时A1输出信号水平将降低50%，曝露于约30Oe的AC退活化磁场中时A1输出信号水平将降低75%。尽管使标识器的A1输出信号水平降低至少50%所需要的AC退磁化磁场通常是随着偏磁元件矫顽磁力减小而降低的，但是本领域技术人员仅根据说明书充分公开的上述内容仍难以预测使标识器的A1输出信号水平在低于35Oe的AC退活化磁场中降低至少50%的偏磁元件的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，该权利要求25限定的范围中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容；并且，权利要求25限定的范围中还包含了低矫顽磁力（例如在35Oe的AC退活化磁场中可实现完全退磁化）且退磁化曲线平缓的偏磁材料制作标识器偏磁元件的技术方案，其中由于偏磁元件矫顽磁力低且退磁曲线平缓，偏磁元件在曝露于低水平磁场中时容易发生退磁化，因此尽管这种技术方案能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，同样不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求25限定的范围中既包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

其次，权利要求26是权利要求25的从属权利要求，其进一步限定了“偏磁元件在完全磁化且曝露于具有峰值幅度为4Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上”，而根据有关权利要求25的评述可以得出，权利要求26限定的范围中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。权利要求29是权利要求26的从属权利要求，其进一步限定“标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％”。如前所述，在说明书充分公开的利用SB1材料制作偏磁元件的技术方案中，公开了该标识器在曝露于约30Oe的AC退活化磁场中时，A1输出信号水平将降低至少75%，但是本领域技术人员由此仍难以预测使标识器的A1输出信号水平在低于35Oe的AC退活化磁场中降低75%的偏磁元件的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，该权利要求29限定的范围中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。由于权利要求25、26和29不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求25、26和29的其它无效理由进行评述。

再次，权利要求27是权利要求26的从属权利要求，其限定了通过使标识器的A1输出信号水平在低于25Oe的AC退活化磁场中降低至少50%且在峰值幅度为4Oe的AC磁场下磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上的偏磁材料制作偏磁元件的技术方案。涉案专利说明书公开了使标识器曝露于约25Oe的AC退活化磁场中时A1输出信号水平将降低50%的技术方案使得标识器能够通过比利用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器小的退活化磁场实现退活化，由于使标识器的A1输出信号水平降低至少50%所需要的AC退磁化磁场通常是随着偏磁元件矫顽磁力减小而降低的，因此本领域技术人员基于说明书充分公开的上述内容可以合理地预测使标识器的A1输出信号水平在低于25Oe的AC退活化磁场中降低至少50%的偏磁材料制作偏磁元件的技术方案可以使标识器的退活化磁场低于Hc大于60Oe的常规标识器所需要的退活化磁场，同时权利要求27限定了标识器中的偏磁元件在处于完全磁化状态并曝露在峰值幅度为4Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上，由涉案专利说明书中关于SB1作为偏磁元件的实施例可知（例如参见图6），SB1材料的偏磁元件在峰值幅度为4Oe的AC退磁化磁场中时，磁化水平保持在完全磁化水平的95%以上，由此可以推知，该权利要求限定的标识器能够在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。本领域技术人员可以合理预测权利要求27所覆盖的技术方案能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果，该权利要求27能够得到说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。

最后，权利要求28是权利要求26的从属权利要求，其限定了通过使标识器的A1输出信号水平在低于30Oe的AC退活化磁场中降低至少75%且在峰值幅度为4Oe的AC磁场下磁化水平至少保持在完全磁化水平的95%以上的偏磁材料制作偏磁元件的技术方案，通过与前面类似的分析可以得出，该权利要求28能够得到说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。

（七）关于权利要求30-36

讯强公司认为，权利要求30中未对“具有一定峰值幅度的AC磁场”和偏磁材料进行限定，使得该权利要求30得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定，其从属权利要求31-35也不符合专利法第二十六条第四款的规定；权利要求36中未对偏磁材料进行限定，也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

传感电子公司认为，权利要求30的技术方案至少对应于使用SB1材料的实施例及使用V材料的实施例，因此，对于本领域技术人员而言，权利要求30的技术方案完全能够从说明书公开的内容概括得出，符合专利法第二十六条第四款的规定。

专利复审委员会认为，首先，权利要求30中限定了“偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，从而使所述偏磁元件在完全磁化且未设置在所述标识器中时曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述AC磁场将使所述的偏磁元件的磁化水平产生明显降低，而且当所述偏磁元件被完全磁化且配置在所述标识器中与所述磁致伸缩元件相邻近的位置处，并且使所述偏磁元件曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述磁致伸缩元件使磁通由所述偏磁元件处偏移开，从而使所述偏磁元件的磁化基本上不会受到所述AC磁场的影响”。涉案专利说明书充分公开了一种以SB1材料为偏磁材料的标识器，其中SB1的矫顽磁力Hc约为19Oe，单独置于约15Oe的AC磁场中将退磁化至完全磁化的约70%，当与2628CoA合金材料一起形成标识器时标识器在环境磁场不超过15Oe时共振频率基本不变；并且，关于标识器中的磁屏蔽效应，本领域技术人员能够理解，标识器中的磁致伸缩元件通常为软磁材料，其磁导率高于通常为半硬化材料的偏磁元件，上述磁屏蔽作用是通过高磁导率的磁致伸缩元件中流过较多磁通（其与磁致伸缩元件和偏磁元件的磁导率等磁性差异有关）来实现的，这种作用如同电路中的旁路电路分流效应一样，从理论上讲采用磁屏蔽不能完全消除磁场的影响，并且随着高磁导率材料趋于饱和，其对磁通的分流效果降低，磁屏蔽效果降低，亦即，对于标识器而言，当退活化磁场较小时，磁致伸缩元件对退活化磁场的屏蔽效应较明显，直接作用于偏磁元件上的退活化磁场明显小于外部退活化磁场，随着退活化磁场进一步增大，磁致伸缩元件趋于饱和时，对退活化磁场的屏蔽作用逐渐减弱，对新增退活化磁场部分的分流能力下降，新增加的退活化磁场部分中直接作用于偏磁元件上的比例增大，偏磁元件开始产生退磁。而已知的是，标识器中磁致伸缩元件的饱和磁化磁场通常较小（远小于60Oe），因此，在涉案专利说明书的上述公开内容的基础上结合本领域的公知常识，本领域技术人员可以合理预测在完全磁化且未设在标识器中时，曝露于某AC磁场中时磁化水平产生明显降低，而当完全磁化且设在标识器中与磁致伸缩元件相邻处时曝露在相同AC磁场中时磁化水平基本不受AC磁场影响的偏磁元件单独设置时，会在远小于60Oe的AC退磁化磁场中发生退磁化，其矫顽磁力应当小于60Oe，包括此偏磁元件的标识器能够通过比利用Hc大于60Oe的偏磁材料的常规标识器小的退活化磁场实现退活化。但该权利要求30中同时也包含了利用Hc小于60Oe且退磁化曲线平缓变化的半硬化材料制作偏磁元件的标识器，这种标识器能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果，权利要求30限定的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式。因此，权利要求30得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款规定。

其次，权利要求34是权利要求30的从属权利要求，其进一步限定标识器中的偏磁元件由V材料形成。权利要求35是权利要求34的从属权利要求，其进一步限定标识器中的偏磁元件由V材料形成，非结晶型磁致伸缩元件由Metglas2628CoA形成。它们所请求保护的技术方案对应于涉案专利说明书中公开的有关“V材料”的实施例。如前面有关专利法第二十六条第三款的无效理由的评述中所述，涉案专利说明书中有关“V材料”的实施例未充分公开，本领域技术人员无法确信利用V材料为偏磁元件、Metglas2628CoA为磁致伸缩元件的标识器能够解决本发明所要解决的技术问题，因此该权利要求34和35不能从说明书充分公开的内容中得出，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款规定。由于权利要求30、34和35不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求的其它无效理由进行评述。

再次，权利要求31是权利要求30的从属权利要求，其进一步限定标识器中的偏磁元件由SB1材料形成，涉案专利说明书充分公开了一种以SB1材料为偏磁材料的标识器，其中SB1的矫顽磁力Hc约为19Oe，单独置于约15Oe的AC磁场中将退磁化至完全磁化的约70%，当与2628CoA合金材料一起形成标识器时标识器在环境磁场不超过15Oe时共振频率基本不变。根据说明书充分公开的上述内容，本领域技术人员能够合理地预测利用SB1材料制作偏磁元件的标识器均能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果，使得标识器实现退活化所需要的退活化磁场小于常规标识器，同时在常规操作期间可能出现的低水平磁场中不发生意外退活化。因此，该权利要求31得到了说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款规定。同理，其从属权利要求32和33也符合专利法第二十六条第四款规定。

复次，权利要求36是权利要求30的从属权利要求，其进一步限定所述AC磁场的一定峰值幅度范围由5Oe至15Oe。经过与权利要求30类似的分析可知，本领域技术人员可以合理预测在完全磁化且未设在标识器中时曝露于5至15Oe的AC磁场中时，磁化水平产生明显降低，而当完全磁化且设在标识器中与磁致伸缩元件相邻处时曝露在相同AC磁场中时磁化水平基本不受AC磁场影响的偏磁元件单独设置时会在远小于60Oe的AC退磁化磁场中发生退磁化，其矫顽磁力应当小于60Oe，因此采用该偏磁元件的标识器能够通过比常规标识器小的退活化磁场实现退活化。另外，由于该偏磁元件在置于标识器中时，在5至15Oe的AC退活化磁场中其磁化基本不受AC磁场影响，因此可以预测采用该偏磁元件的标识器在小于5Oe的AC退活化磁场中基本不发生退活化，能够在常规操作期间所可能出现的低水平磁场中不发生意外退活化。综上所述，根据说明书充分公开的内容，本领域技术人员能够合理预测权利要求36所限定的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果，该权利要求36得到了说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。

（八）关于权利要求37-47

讯强公司认为，权利要求37中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150Oe的AC磁场中的方式，对所述EAS标识器实施退活化”没有以说明书为依据来限定AC退活化磁场强度的范围，不符合专利法第二十六条第四款的规定。同理，权利要求42、44中也未以说明书为依据来限定AC退活化磁场强度的范围，得不到说明书的支持。从属权利要求38-41、43、45-47因而也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

传感电子公司认为，涉案专利说明书的各个实施例公开了使用小于100、30Oe的AC退磁化磁场，因此该权利要求37的技术方案得到了说明书各个实施例的充分支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。同理，其从属权利要求38-47也符合专利法第二十六条第四款的规定。

专利复审委员会认为，首先，涉案专利权利要求37请求保护一种对使用在磁力式EAS系统中的EAS标识器实施活化和退活化用的方法，其中要提供由非结晶型磁致伸缩元件和配置在与磁致伸缩元件邻接处的偏磁元件构成的标识器，并且磁化偏磁元件，使得在EAS系统的运行频率下形成共振，然后通过将标识器曝露在峰值幅度低于150Oe的AC磁场中的方式，对EAS标识器实施退活化。该权利要求37覆盖了所有提供在峰值幅度低于150Oe的AC磁场中实现退活化的标识器的技术方案。涉案专利说明书中充分公开了一种利用SB1材料制作标识器偏磁元件的技术方案，能够使标识器的退活化磁场小于利用Hc大于60Oe的偏磁材料的常规标识器，其中SB1的矫顽磁力Hc约为19Oe，标识器在约50Oe的AC退磁化磁场下基本实现退活化。然而同时，说明书中记载了一种对利用矫顽磁力Hc为70-80Oe的半硬化材料S为偏磁元件的标识器实施退活化的方法，其中指出为获得共振频率相对于标准操作频率的最大漂移（即实现标识器的完全退活化），需要施加约140-150Oe的AC退磁化磁场。本领域技术人员根据说明书公开的上述内容，难以预测低于150Oe的AC退活化磁场必然小于使利用Hc大于60的偏磁材料的标识器所需要的退活化磁场，该权利要求37限定的技术方案中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容。另外，该权利要求37限定的范围中还包含以软磁材料制作偏磁元件，以及以Hc小于60Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，这些技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现标识器的退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求37限定的技术方案中既包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，因此，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。权利要求38、39是直接或间接引用权利要求37的从属权利要求，分别限定了标识器曝露在峰值幅度等于或低于4Oe的AC磁场中，和曝露在峰值幅度等于或低于20Oe的AC磁场中时共振特性不会发生变化。通过与前面关于权利要求37相似的分析可以得出，权利要求38、39限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

其次，权利要求40是引用权利要求38的从属权利要求，其限定了标识器曝露在峰值幅度等于或低于4Oe的AC磁场中时共振特性不会发生变化，且标识器的退活化是在峰值幅度低于100Oe的AC磁场中实现的。通过与前面关于权利要求37相似的分析可以得出，本领域技术人员根据说明书公开的上述内容，难以预测低于100Oe的AC退活化磁场必然小于使利用Hc大于60Oe的偏磁材料的标识器所需要的退活化磁场，权利要求40限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款规定。

再次，权利要求41是引用权利要求40的从属权利要求，其限定了标识器曝露在峰值幅度等于或低于12Oe的AC磁场中时共振特性不会发生变化。通过与前面关于权利要求40相似的分析可以得出，权利要求41限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。

复次，权利要求42是权利要求37的从属权利要求，其进一步限定退活化步骤是通过将标识器曝露在其峰值幅度低于30Oe的AC磁场中的方式实施的，因此该权利要求42覆盖了所有提供在峰值幅度低于30Oe的AC磁场中实现退活化的标识器的技术方案，显然，在这种方案下实现退活化所需要的AC磁场必然小于常规标识器。然而该权利要求42限定的范围中还包含以软磁材料制作偏磁元件及以Hc小于30Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，这些技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现标识器的退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即，不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求42限定的技术方案中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，因此，得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款规定。基于类似的理由，引用权利要求37的从属权利要求44、46、47也不符合专利法第二十六条第四款规定。由于权利要求37-42、44、46-47不符合专利法第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求37-42、44、46-47的其它无效理由进行评述。

最后，权利要求43是引用权利要求42的从属权利要求，其限定了退活化步骤是通过将标识器曝露在峰值幅度低于30Oe的AC磁场中的方式实施的，且在峰值幅度为4Oe的AC磁场下标识器的共振频率不发生变化。如前所述，标识器在峰值幅度低于30Oe的AC磁场中实现退活化的技术方案实现退活化所需要的AC磁场必然小于常规标识器，同时权利要求43中限定了在峰值幅度为4Oe的AC磁场中时标识器的共振频率不发生变化，由涉案专利说明书中关于SB1作为偏磁元件的实施例可知（例如参见图6），SB1材料的偏磁元件在峰值幅度为4Oe的AC退磁化磁场中时，磁化水平保持在完全磁化水平的95%以上，标识器的共振频率基本不发生变化。由此可以推知，该权利要求限定的标识器能够在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。本领域技术人员可以合理预测权利要求43所覆盖的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果。因此，该权利要求43能够得到说明书的支持，符合专利法第二十六条第四款的规定。基于类似的理由，引用权利要求44的从属权利要求45也符合专利法第二十六条第四款的规定。

基于上述事实和理由，被诉决定宣告涉案专利权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46-47无效，在权利要求5、8、13、19、27、28、31-33、36、43和45的基础上维持涉案专利权有效。

传感电子公司不服被诉决定，向北京市第一中级人民法院提起行政诉讼，请求撤销被诉决定。

北京市第一中级人民法院一审认为，第一，涉案专利说明书中以M材料和V材料为偏磁元件的实施例中，均存在偏磁材料特性与标识器特性相矛盾的描述，使得本领域技术人员无法确信这两个实施例能够解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。被诉决定认为这两个实施例不属于说明书中充分公开的内容是正确的。

第二，涉案专利说明书中仅充分公开了以SB1制作偏磁元件的技术方案，其中SB1材料是矫顽磁力Hc约为19Oe的半硬化材料，该材料单独置于约15Oe的AC磁场中，将退磁化至完全磁化的约70%。当其与2628CoA合金材料一起形成标识器时，标识器在环境磁场不超过15Oe时，共振频率基本不变，同时该标识器在约20-25Oe的AC退活化磁场区间内具有超过100Hz/Oe的共振频率漂移梯度。涉案专利权利要求1的技术方案中，不仅包含了传感电子公司推测的效果难以确定的内容，而且还覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题，且难以达到预期技术效果的实施方式，故其得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款规定。基于相似的理由，涉案专利权利要求2、3也不符合专利法第二十六条第四款规定。

第三，涉案专利权利要求4不仅包括利用Hc小于55Oe且具有陡峭的退磁化曲线，而使其具有一定低场稳定性的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，还包含了利用Hc小于55Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，而采用这种材料难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。因此，权利要求4的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，其得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，涉案专利权利要求6和7也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

第四，涉案专利权利要求9限定的技术方案中包含了传感电子公司推测的内容，其效果又难以确定。权利要求9限定的范围中还包括了利用Hc小于60Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，该方案难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。因此，权利要求9因概括过宽得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，涉案专利权利要求10—12也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

第五，涉案专利权利要求14限定了标识器的偏磁元件可以采用任何在峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场下，退磁至不超过完全磁化水平的5%的半硬化材料。本领域技术人员根据说明书公开的内容，难以预测实现95%退磁所需AC退磁化磁场小于150Oe的半硬化材料所具有的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，该权利要求14限定的技术方案中包含了传感电子公司推测且效果难以确定的内容。另外，权利要求14限定的范围中还包含利用Hc小于60Oe，且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，该技术方案不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。因此，权利要求14因概括过宽得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，涉案专利权利要求15-18也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

第六，涉案专利权利要求20覆盖了所有在峰值幅度小于50Oe的AC退活化磁场中，共振频率相对于目标共振频率漂移至少1.5kHz的标识器。本领域技术人员根据说明书公开的内容，难以预测使得标识器共振频率相对于目标共振频率漂移1.5kHz所需要的AC退活化磁场小于50Oe的偏磁材料所具有的矫顽磁力Hc必然小于60Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场。另外，权利要求20还包含了利用软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，而在涉案专利申请日之前，基于本领域技术人员对软磁材料特性的了解，仅根据涉案专利说明书公开的内容，无法预测利用软磁材料制作标识器的偏磁元件也能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果。因此，权利要求20限定的技术方案中包含了传感电子公司推测、效果难以确定的内容，其得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，涉案专利权利要求21-24也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

第七，涉案专利权利要求25覆盖了所有在峰值幅度小于35Oe的AC退活化磁场中，标识器的A1输出信号降低为标识器曝露在退磁化磁场之前产生的A1输出信号水平的至少50％的标识器。其中既包含了传感电子公司推测且效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，故其得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，涉案专利权利要求26和29也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

第八，关于权利要求30。在涉案专利说明书的公开内容的基础上，结合本领域的公知常识，本领域技术人员可以合理预测在完全磁化且未设在标识器中时，曝露于某AC磁场中时磁化水平产生明显降低，而当完全磁化且设在标识器中与磁致伸缩元件相邻处时，曝露在相同AC磁场中时磁化水平基本不受AC磁场影响的偏磁元件单独设置时，会在远小于60Oe的AC退磁化磁场中发生退磁化，其矫顽磁力应当小于60Oe。包括此偏磁元件的标识器能够通过比利用Hc大于60Oe的偏磁材料的常规标识器小的退活化磁场实现退活化。但涉案专利权利要求30中包含了利用Hc小于60Oe，且退磁化曲线平缓变化的半硬化材料制作偏磁元件的标识器，这种标识器难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。因此，涉案专利权利要求30限定的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，其得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，涉案专利权利要求34和35也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

第九，涉案专利权利要求37覆盖了所有在峰值幅度低于150Oe的AC磁场中实现退活化的标识器的技术方案。本领域技术人员根据说明书公开的内容，难以预测低于150Oe的AC退活化磁场必然小于使利用Hc大于60的偏磁材料的标识器所需要的退活化磁场。另外，权利要求37限定的范围中还包含以软磁材料制作偏磁元件及以Hc小于60Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，这些技术方案难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。因此，权利要求37限定的技术方案中既包含了传感电子公司推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，故其得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，涉案专利权利要求38-42、44、46、47也不符合专利法第二十六条第四款的规定。

综上，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。北京市第一中级人民法院据此判决：维持被诉决定。一审案件受理费100元,由传感电子公司负担。

传感电子公司不服一审判决，向北京市高级人民法院提起上诉，请求撤销一审判决和被诉决定，判令专利复审委员会重新作出审查决定。传感电子公司的主要上诉理由为：涉案专利权利要求1-47均符合专利法第二十六条第四款的规定。一审法院和专利复审委员会对涉案专利各权利要求所要解决的技术问题或所要达到的技术效果认定错误，对说明书第一实施例和第三实施例未能充分公开本发明的认定错误，导致其错误认定涉案专利部分权利要求不符合专利法第二十六条第四款的规定。

专利复审委员会与讯强公司服从一审判决。

二审法院对一审法院查明的事实予以确认。

二审法院认为，专利法第二十六条第四款规定：“权利要求书应当以说明书为依据，说明要求专利保护的范围。”权利要求书应当以说明书为依据，是指权利要求书中的每一项权利要求所要求保护的技术方案均应当是所属技术领域的技术人员能够从说明书充分公开的内容中得到或概括得出的技术方案，并且不得超出说明书公开的范围。如果权利要求所保护的范围超出了说明书所公开的范围，则该权利要求未以说明书为依据。基于新材料的选择形成的发明创造，权利要求的保护范围应当限于对该新材料或其明显等同替换材料的保护，即本领域技术人员根据权利要求的记载，应当能够确定该权利要求保护的对象正是该新材料或其明显等同替换材料。如果说明书仅仅是基于该新材料的选择来阐述其技术内容，而权利要求仅仅是记载了该新材料的部分属性或特征，而本领域技术人员通常认为仅仅依据权利要求中记载的这些属性或特征并不能直接推导出该新材料，还可能包括具备该属性或特征的其他材料，且本领域技术人员并不能确定该其他材料同样具备该新材料的全部功能时，表明权利要求所保护的基于新材料选择的发明超出了说明书所记载的新材料的范围，即此时通常可以认定权利要求保护的技术方案超出了说明书记载的范围，亦即权利要求未以说明书为依据。

本案中，从涉案专利说明书的记载来看，传感电子公司基于其对三种物质材料的选择，发现了其所选择的新材料在低场稳定性、漂移梯度、矫顽磁力等方面相对于现有技术具有一定的优势，具有更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中的标识器的特性，故涉案专利说明书从低场稳定性、漂移梯度、矫顽磁力等方面限定了其选择的物质材料。本领域技术人员在阅读了涉案专利说明书后，可以清楚地认识到传感电子公司的技术贡献在于将其所选择的物质材料适用于磁力式电子货品监视系统中的标识器。但是，涉案专利权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46-47却未如说明书那样，从低场稳定性、漂移梯度、矫顽磁力等方面限定其选择的物质材料，而是选择了部分参数或指标来限定适用于磁力式电子货品监视系统中标识器的物质材料。显然，当传感电子公司在涉案专利权利要求中选择部分参数或指标来限定物质材料时，本领域技术人员有合理理由质疑仅具备其中部分参数或指标的物质材料可能并不限于传感电子公司在涉案专利说明书中所列举的三种物质材料，传感电子公司也并未提供有效证据证明具备涉案专利权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46-47中记载的部分参数或指标的物质材料仅仅限于其在涉案专利说明书中所列明的三种物质材料。而仅仅具备涉案专利说明书所列举的三种物质材料部分参数或指标的其他物质材料是否同样具备更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中标识器的特性，却不是传感电子公司的技术贡献，涉案专利说明书也未予以记载。事实上，传感电子公司的技术贡献仅在于发现了涉案专利说明书所列举的三种物质材料具有更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中的标识器的特性。因此，涉案专利权利要求在限定更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中的标识器的物质材料时，可能包括了传感电子公司在说明书中公开的三种物质材料之外的物质材料，故其超出了涉案专利说明书的公开范围。在此基础上，一审法院及专利复审委员会认定涉案专利权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46-47未以说明书为依据是恰当的。传感电子公司有关涉案专利权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46-47符合专利法第二十六条第四款规定的上诉理由缺乏依据，二审法院不予支持。

此外，传感电子公司虽主张专利复审委员会错误认定涉案专利说明书所记载的第一实施例和第三实施例公开不充分，但如上所述，即便涉案专利说明书所记载的三个实施例不存在公开不充分的问题，其也仅仅是说明了传感电子公司所选择的三种物质材料具有更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中的标识器的特性，并不能克服涉案专利权利要求未以说明书为依据的缺陷。

还应当指出的是，专利复审委员会基于涉案专利说明书记载的背景技术，指出现有技术中存在的问题，并在涉案专利说明书从低场稳定性、漂移梯度、矫顽磁力等方面限定其选择的物质材料的基础上，在被诉决定中认定涉案专利所要解决的技术问题或要得到的技术效果是获得在常规操作期间不被意外退活化，同时退活化磁场小于利用Hc≥60Oe的偏磁元件的常规标识器的标识器，而不只是单独地要去解决现有技术中使用到的某种偏磁元件材料的DC饱和磁场过高（≥450Oe），或实现95%退磁化需要的AC退磁化磁场过大（约为200Oe）的问题。应当说，专利复审委员会对涉案专利所要解决的技术问题的认定是正确的。如前所述，由于涉案专利权利要求并未以说明书为依据，故传感电子公司有关专利复审委员会对涉案专利所要解决的技术问题的认定错误，本案应当基于专利复审委员会在评价涉案专利创造性时所认定的涉案专利相对于现有技术的区别技术特征，来确定涉案专利所要解决的技术问题的主张缺乏依据，二审法院不予支持。

二审法院据此判决：驳回上诉，维持一审判决。一、二审案件受理费各100元，均由传感电子公司负担。

传感电子公司不服二审判决，向本院申请再审。具体理由如下：（一）涉案专利权利要求1-47可以分为八组，分别针对不同的发明目的，解决不同的技术问题，符合专利法第二十六条第四款的规定。1.被诉决定和一、二审判决脱离权利要求的技术方案，认定所有权利要求共同解决唯一的技术问题，据此认定所有独立权利要求均没有以说明书为依据，认定事实不清，适用法律错误。被诉决定针对同一个权利要求，在认定创造性时认定了一个“技术问题”，而在判断是否符合专利法第二十六条第四款的规定时，又认定了不同的技术问题，法律适用错误。2.被诉决定认定涉案专利各项权利要求相对于现有技术具有区别技术特征，具有创造性，说明各项权利要求相对于现有技术解决了各自要解决的技术问题，保护范围适当。3.关于“技术问题”。《专利审查指南》（以下简称审查指南）仅在第二部分第4章第3.2.1.1节对技术问题给出了定义，是指“对最接近的现有技术进行改进的技术任务”。因此，应当根据权利要求区别于现有技术的区别技术特征，参照说明书中的发明目的、发明希望解决的技术问题、技术效果，综合确定正确的技术问题。不能将涉案专利说明书背景技术中记载的现有技术的缺陷，等同于权利要求所要解决的技术问题。4.涉案专利说明书中提到了多个发明目的，是各个独立权利要求分别解决的技术问题。因此，要结合各个权利要求的区别技术特征及其技术效果，确定各个权利要求对应的发明目的。一项权利要求只要能够解决一个技术问题，区别于现有技术，就符合专利法的规定。不能要求各项权利要求均解决相同的技术问题。5.低场稳定性仅涉及部分权利要求，并非各项权利要求都要解决的技术问题。（1）涉案专利中，公开了至少两种在低场稳定性方面进行的改进。改进之一是选择具备某种物理参数要求的材料作为偏磁元件，对应于从属权利要求5、8、10、15、26。另一项改进是说明书第14、15页记载的有关标识器中偏磁元件的磁化处理方式的技术方案，专利权人没有对其要求专利权保护。（2）根据各项独立权利要求的技术方案，能够制造出在正常使用环境下发挥功能的标识器，和存储、运输或者装卸环境下的低场稳定性没有关系。（二）关于涉案专利的技术贡献及其与权利要求是否以说明书为依据的关系。1.判断权利要求是否以说明书为依据时，应当判断权利要求的技术贡献特征，即使得发明具备新颖性和创造性的技术内容，并且还要考虑权利要求相对于现有技术解决的技术问题和技术效果，基于说明书整体，判断说明书的公开内容与权利要求的保护范围是否相匹配，权利要求的保护范围是否与其技术贡献相适应。2.关于技术贡献，审查指南第一部分第四章第2节规定：“对现有技术的贡献的技术信息是指在专利申请中明确披露的所有新颖的和非显而易见的技术信息。”在权利要求中，技术贡献是使得其具有新颖性和创造性的技术特征，即技术贡献特征。专利法第二十二条解决权利要求是否具有技术贡献特征，专利法第二十六条第四款解决技术贡献特征与其他技术特征共同限定的保护范围是否得到说明书公开的部分，尤其是与技术贡献特征相关部分的支持，使得权利要求的保护范围与专利对现有技术的贡献相匹配。3.本发明各项权利要求对现有技术的贡献是如何根据特定的物理参数选择标准来选择磁性材料，并将该材料应用于标识器中的偏磁元件。专利复审委员会和一、二审法院错误地认为本发明涉及新材料的选择，认定事实不清。（三）关于说明书充分公开与权利要求以说明书为依据的关系。1.涉案专利各项独立权利要求均能够得到说明书的支持。本领域技术人员根据说明书相应部分充分公开的内容，能够得到并实施权利要求限定的技术方案，解决其相对于现有技术所要解决的技术问题，获得相应的技术效果。2.说明书关于第一实施例、第三实施例的公开是充分的，即使不考虑这两个实施例，相关权利要求也能得到说明书的支持。二审判决对被诉决定和一审判决中有关第一实施例、第三实施例的认定未予纠正错误。3.关于第一实施例。首先，虽然图3与图5都涉及M材料，但说明书中没有记载二者具有对应关系。图3与图5都是示意图，图3主要说明漂移梯度的变化，图5主要说明AC退磁场对M材料的影响，二者分别代表不同的特性，反映涉案专利在不同方面做出的改进。其次，随着加工工艺不同，相同材料的矫顽磁力可以不同。可以通过改变加工工艺，实现剩磁和矫顽磁力的组合。本领域技术人员能够理解利用矫顽磁力较小的M材料制作的偏磁元件具有图5所示的退磁化特性曲线。M材料的矫顽磁力可以在50-110Oe的较大范围内设置。图3、5中的矫顽磁力都在这个范围内，是可以实现的。4.关于第三实施例。说明书中记载的V材料矫顽磁力22.7Oe仅仅是参考数据，实际测量的样品的矫顽磁力可以不同。图11用于说明漂移梯度的变化，并不关注矫顽磁力。V材料的矫顽磁力可以在12-60Oe的范围内变化，因此，说明书中记载的矫顽磁力参考值与图11所示的测量值都是可以实现的。5.被诉决定、一审判决对说明书第一实施例、第三实施例公开不充分的认定错误。在该认定与权利要求1-47是否符合专利法第二十六条第四款的规定密切相关的情况下，二审判决回避审理再审申请人的相关请求，违反法定程序。（四）关于本案的审理范围。对于再审审判监督程序，审理范围一般应该限于当事人申请的范围。专利复审委员会和讯强公司没有就被诉决定中维持有效的权利要求提出再审申请，故审理范围应当限于传感电子公司再审申请的请求范围。

被申请人专利复审委员会员会提交意见认为：（一）现有技术中存在的问题是:为防止偏磁元件可能出现的磁场作用下意外退磁化，通常要求偏磁元件的矫顽磁力至少为60Oe，导致标识器需要较高的退活化磁场。（二）本发明所要解决的技术问题或要得到的技术效果是在常规操作期间，偏磁元件不被意外退活化，同时退活化磁场小于常规标识器。（三）在相关教科书中，矫顽磁力的概念均是在介绍磁滞回线时引入，本领域技术人员都知晓该数值应当是在直流退磁场下测量得到的结果。在我国国家标准GB/T13888-2099/IEC60404-7：1982“在开磁路中测量磁性材料矫顽力的方法”第6.3节“矫顽力的测定”中，介绍了施加的退磁场是直流磁场。（四）关于第二实施例，讯强公司在无效请求程序中并未对屏蔽效果和原理提出质疑。说明书以及附图6、7的描述没有存在明显的矛盾之处。（五）二审判决认定事实清楚、适用法律正确，程序合法。（六）关于本案的审理范围。对于再审审判监督程序，审理范围一般应该限于当事人申请的范围。专利复审委员会和讯强公司没有就被诉决定中维持有效的权利要求提出再审申请，故审理范围应当限于传感电子公司再审申请的请求范围。

一审第三人讯强公司提交意见认为：（一）关于技术问题。1.被诉决定以及一、二审判决对涉案专利要解决的技术问题的认定正确。2.被诉决定以及一、二审判决均认定所有权利要求至少应当解决技术问题“获得在常规操作期间不被意外退活化（即低场稳定性），同时退活化磁场小于常规标识器偏磁元件的退活化磁场Hc≥60Oe”，被诉决定没有认定所有权利要求解决同一个技术问题。3.被诉决定以及一、二审判决根据说明书的背景技术以及相关描述，正确确定“在常规操作期间不被退活化”是所有权利要求必须解决的技术问题。如果不解决该技术问题，无法获得可以正常使用的合格产品。4.传感电子公司错误认定说明书中描述的现有技术，错误认定涉案专利对现有技术的贡献，导致其对技术问题的认识错误。（二）关于技术贡献。被诉决定以及一、二审判决均认定涉案专利对现有技术的贡献在于材料的选择，没有认定其技术贡献为具体的材料。各独立权利要求对参数的限定超出了其对现有技术的贡献。（三）关于第一实施例、第三实施例是否充分公开及其对权利要求是否以说明书为依据的影响。1.说明书及其附图中公开的各实施例的信息相互矛盾，这种矛盾会使得读者对各实施例能否实施产生合理的怀疑，被诉决定认定第一实施例、第三实施例公开不充分正确。2.关于第一实施例所涉及的M材料。说明书附图3、5均涉及该材料，但是在图3、5中所示的矫顽磁力不一致。其中，图3所示的矫顽磁力远远小于62Oe,而图5中的矫顽磁力大于62Oe，二者相互矛盾。3.关于第二实施例所涉及的SB1材料。在附图6中，退磁化所需的磁场强度为30-35Oe,并不是说明书中记载的19Oe。在附图7中，退磁化磁场超过19Oe后，标签的频率基本没有变化，表明偏磁元件SB1没有退磁。附图6、7所示的矫顽磁力与说明书中记载的偏磁材料矫顽磁力为19Oe明显矛盾。4.关于第三实施例所涉及的V材料。说明书中记载其矫顽磁力为22.7Oe，而附图11所示的矫顽磁力为18Oe，二者明显矛盾。说明书中没有记载或暗示V材料的矫顽磁力是可以变化的，而是唯一地给出了22.7Oe的数据。5.再审申请人有关偏磁材料的矫顽磁力可以在一定范围内变化的主张不能成立。6.矫顽磁力是偏磁材料的基本参数，三个实施例必须公开其使用的偏磁材料的矫顽磁力，使得读者相信该实施例真实可靠。再审申请人主张的偏磁材料的矫顽磁力范围覆盖了现有技术（60Oe），无法支持其有关权利要求以说明书为依据的主张。6.二审判决认为，即使认为第一实施例、第三实施例公开充分，相关权利要求也没有以说明书为依据。二审判决没有对第一实施例、第三实施例是否公开充分进行认定，没有违反法定程序。（五）关于涉案专利说明书第二实施例中记载的屏蔽技术的效果和原理。1.该技术仅仅是专利权人自己声称的技术，没有其他专利或者科技文献印证，也没有确定的科学依据。专利权人没有解释为何可激活元件可以保护偏磁元件，直到交流退磁场峰值15Oe。2.按照说明书记载的屏蔽技术，可以选择矫顽磁力小于15Oe的偏磁材料，可以将低场稳定性保持到15Oe,进一步降低矫顽磁力。但是，三个实施例选择的材料的矫顽磁力均明显超过15Oe（分别是20Oe、19Oe、22.7Oe）。而且，第三人发明的软磁偏磁材料标签根本没有涉案专利所述的屏蔽效果。3.在附图7中，在AC退磁场峰值大于15Oe时，第二实施例没有出现急剧的退活化，而是保持到20Oe，与说明书记载的“退磁化磁场的水平超过15Oe左右时，可激活元件的导磁性急剧降低，从而使退磁化磁场导致偏磁元件退磁”相互矛盾。4.第二实施例中，15Oe以下的低场稳定性不是缘于所谓的屏蔽，而是采用了比19Oe更高的矫顽磁力。权利要求4的保护范围包含了远低于19Oe的矫顽磁力，不能得到说明书的支持。5.涉案专利说明书记载的内容以及数据未能清楚地解释屏蔽技术的效果和原因，甚至存在自相矛盾之处。首先，本领域技术人员不会相信矫顽磁力为11Oe的偏磁片可以在15Oe的磁场下实现所谓的屏蔽效果。其次，第三实施例中没有任何有关屏蔽的具体实验数据。在图11中，在15Oe的直流退磁场下，以V材料制作的标签已经基本被退磁，没有所谓的屏蔽效果，与说明书记载的内容不符。再次，在标签的存储和运输时，大量标签产生的退磁场是直流退磁场，而不是交流退磁场，因此，低场稳定性实际上是对直流退磁场的稳定性要求。综上，涉案专利对于所谓屏蔽技术的原因、如何选择新的材料来获得屏蔽的描述是模糊和不确定的，不应该获得有关屏蔽技术的保护。（六）本案的审理范围可以包括被诉决定维持有效的权利要求。

围绕当事人的再审请求，本院对有争议的事实查明并认定如下：

（一）关于矫顽磁力的含义

讯强公司向本院提交的1982年11月第二次印刷的《铁磁学》中记载：“如将磁场反向增加，则I沿DE下降，到I=0时，此时的磁场强度称为矫顽磁力。”

（二）涉案专利说明书、附图中记载的有关内容

1.关于以M材料制作偏磁元件的第一实施例

说明书第8页记载：“根据本发明构造的、与如上所述的图1中的标识器相类似的标识器中的偏磁元件16，是采用具有非常低的矫顽磁力特性的、诸如所谓的M材料等合金材料制作的（它的矫顽磁力大约为20Oe），而不是采用具有比较高矫顽磁力特性的、诸如S等材料制作的。”

说明书第9页记载：“在图3中，参考标号24表示的是一种根据本发明构成的、采用M材料制作偏磁元件的共振频率漂移特性曲线。……如图3所示，……最大共振频率漂移可以在所施加的退磁化磁场强度低至大约35Oe时获得。

说明书第10页记载：“由于其中的偏磁元件是用诸如M等等的、具有相当低的矫顽磁力特性的材料制作的，所以可以用比在常规条件下所需要的强度低得多的AC退活化磁场实施退活化。这使得根据本发明构造的标识器可以在不非常靠近退活化装置的位置处实施退活化，而对于在先技术则是必须要非常靠近退活化装置的。……由于退活化所需的水平比常规技术中的更低，所以可以使用速率更低的部件，并且可以连续地产生退活化磁场，而在常规的退活化装置中则必须采用脉冲型磁场。”

“根据本发明构成的、由具有相当低的矫顽磁力特性的偏磁元件构成的标识器与使用S材料构成的偏磁元件的标识器相比，可以利用原有的退活化装置并可以更容易地实施退活化。”

“由于可以用强度更低的磁场对标识器实施退活化，所以可以在标识器位于比在先技术中的标识器距退活化装置更远的位置处实施退活化。”

说明书附图3、4、5均涉及第一实施例。图3表示采用M材料制作偏磁元件的标识器的共振频率、输出信号振幅与施加在该标识器上的退磁化磁场强度之间的变化关系的示意图。附图3中显示，在退磁化磁场约为35Oe时，可以获得最大共振频率漂移。讯强公司据此主张附图3所示M材料的矫顽磁力约为35Oe，与说明书中记载的“矫顽磁力大约为20Oe”相矛盾。

附图4、5分别示出了制作本发明中的偏磁元件用的M材料的磁化特性曲线和磁退化特性曲线。图4中，在磁场为150Oe左右时，达到饱和磁化。图5中，在AC退磁化磁场为50Oe时，仍有90%左右的磁化水平，只有在接近100Oe时，才能够使M材料退磁化至饱和状态的5%以下。讯强公司主张附图4、5均与图3矛盾，并且与说明书中记载的M材料的矫顽磁力大约为20Oe相矛盾。

2.关于以SB1材料制作偏磁元件的第二实施例

说明书第10页记载：“在根据本发明构造的第二实施例中，偏磁元件16是采用具有比M材料更低的矫顽磁力特性的、在低于20Oe的磁场中不具有稳定区域的材料制作的。”“偏磁元件16可以采用诸如SB1等等的材料制作。”“经过这种退火处理后的材料的矫顽磁力大约为19Oe，……正如图6所示，采用低至15Oe的AC磁场即可以使退火处理后的SB1合金基本退磁化（退磁化至完全磁化的大约70%）。

说明书第11-12页记载：“尽管SB1材料在低水平AC磁场中具有不稳定性，但本申请人发现，如果将这种材料作为偏磁元件配置在磁力式标识器中的与可激活型元件相接近的位置处，所制作出的标识器曝露在相当低的AC磁场中时将具有相当高的稳定性。”“当将某一低水平（比如说为5至15Oe）的退磁化磁场施加在采用着SB1材料的标识器上时，标识器的特性，特别是其共振频率基本上不会出现变化，因而不会产生退磁化，尽管这一磁场在偏磁元件单独设置时会使其产生重大退磁化。不难理解，在所施加的此种退活化磁场水平下，这种磁场将耦合在可激活型元件和偏磁元件之间，从而使可激活型元件作为一个分流器，保护着SB1材料元件免受退磁化磁场的影响。当所施加的退磁化磁场水平超过15Oe左右时，可激活型元件的导磁性将急剧降低，从而使退磁化磁场导致偏磁元件的退磁。”“由于可激活型元件提供的屏蔽作用，使得偏磁元件可以采用相当不稳定的材料制作。”

附图6表示磁化水平与AC退磁化磁场强度之间变化关系的示意性曲线图，该AC退磁化磁场施加在根据第二实施例构造的、作为偏磁元件的材料（SB1材料）之上。在AC退磁化磁场为19Oe时，退磁至饱和状态的40%左右；在AC退磁化磁场为30Oe左右时，退磁至饱和状态的5%左右。在AC退磁化磁场为45至50Oe时，磁化水平逐渐趋于零。

图7表示根据第二实施例构造的标识器的共振频率和输出信号振幅与施加的磁场强度之间的变化关系示意性曲线图。在退磁化磁场为40至50Oe时，共振频率趋于峰值，输出信号振幅趋于零。

3.关于以V材料制作偏磁元件的第三实施例

说明书第12页记载，第三实施例中标识器10内的偏磁元件16是采用V材料构成的。这种V材料的矫顽磁力为22.7Oe（采用的是V的参考数据）。“图10表明，如果将由V材料制作的、完全磁化的偏磁元件放置在大约为30Oe的退磁化磁场中，该元件将退磁至完全磁化的5%以下。正如SB1材料那样，当这种V材料曝露在低水平的AC磁场中，比如说曝露在峰值幅度为6至15Oe的AC磁场中时，它将具有一定的稳定性。但是将其曝露在峰值幅度为5Oe或更低的AC磁场中时，这种材料的磁化将降低5%以下。

说明书第13页记载：“这种采用着V材料的标识器将具有一定的‘屏蔽’效应，就像在有关SB1材料的实施例中所描述的那样。采用V材料的实施例将比采用SB1材料的实施例在施加有低水平的退磁化磁场时，具有更大的频率漂移，而且它还具有更急剧的频率漂移特性曲线。……因此，施加幅度在20Oe以下的退磁化磁场便可以对使用V材料的标识器实施有效地退活化。”

附图9表示磁化水平与施加的DC磁化磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图，该DC磁化磁场是施加在根据本发明第三实施例构造的、作为偏磁元件的材料之上的。

图10表示磁化水平与所施加的AC退活化磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图，该AC退磁化磁场是施加在第三实施例中被用作为偏磁元件的材料之上的。图10中显示，在6至15Oe的AC磁场中，其磁化水平显著降低。在50Oe的AC退磁化磁场中，磁化水平趋于零。

图11表示根据第三实施例构造的磁力式标识器的共振频率和输出信号振幅与所施加的退磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图。图11中，在DC磁化磁场约18Oe时，共振频率漂移特性曲线32、标识器输出信号幅度特性曲线34均发生反转。讯强公司据此主张V材料的矫顽磁力约18Oe，与说明书记载的22.7Oe不符。

4.关于其它实施方式

涉案专利说明书第13页记载：“除了如上所述的M合金、V合金和SB1合金之外，也可以采用其它的材料来制作这种偏磁元件16，如果举例来说，这些材料包括具有如图4、图5、图6、图9和图10所示的特性曲线的各种材料。”

（三）被诉决定中有关涉案专利是否符合专利法第二十六条第三款规定的认定

讯强公司认为涉案专利不符合专利法第二十六条第三款的规定，并向专利复审委员会提出了15个方面的具体理由。

被诉决定认为，首先，说明书第11页第17行至第12页第12行，以及附图6、7中记载了一种标识器，其以SB1材料为偏磁元件，2628CoA合金材料作可激活型元件。本领域技术人员按照说明书公开的上述内容，能够实现该发明的技术方案，解决其技术问题，并且产生预期的技术效果，因此，涉案专利符合专利法第二十六条第三款的规定。

其次，关于讯强公司的理由（1）（2）（13）（15），均涉及以M材料作为偏磁元件的第一实施例。被诉决定认为，附图3中可以看出，偏磁元件在35Oe的AC退活化磁场中基本退磁。而根据附图5，该偏磁元件在35Oe的退活化磁场中基本不退磁。“在说明书公开的以M材料为偏磁元件的实施例中，有关标识器性能的表述与有关偏磁元件性能的描述相矛盾，致使本领域技术人员无法确信该实施例能得到所声称的技术效果”。

再次，关于讯强公司的理由（4）（5）（6）（7）（8），均涉及以V材料作为偏磁元件的第三实施例。附图11中显示标识器中的V材料的矫顽磁力应当不大于18Oe，但说明书中记载V材料的矫顽磁力为22.7Oe，即说明书第三实施例中公开的有关标识器性能的描述与有关偏磁元件性能的描述存在矛盾之处。

但是,本领域技术人员依据说明书公开的以SB1为偏磁元件的实施例能够实现本发明，故被诉决定认为讯强公司关于第一实施例的理由（1）（2）（13）（15），以及关于第三实施例的理由（4）（5）（6）（7）（8）均不能成立，涉案专利符合专利法第二十六条第三款的规定。

本院认为，本案争议焦点为：（一）在认定涉案专利权利要求是否以说明书为依据时，如何理解涉案专利所要解决的技术问题？（二）涉案专利说明书中记载的第一实施例、第三实施例是否充分公开，对认定涉案专利权利要求是否以说明书为依据有何影响？（三）涉案专利权利要求是否以说明书为依据？

（一）在认定涉案专利权利要求是否以说明书为依据时，如何理解涉案专利所要解决的技术问题？

专利法第二十六条第四款规定：“权利要求书应当以说明书为依据，说明要求专利保护的范围。”审查指南第二部分第2章第3.2.1规定：“权利要求书应当以说明书为依据，是指权利要求应当得到说明书的支持。权利要求书中的每一项权利要求所要求保护的技术方案应当是所属技术领域的技术人员能够从说明书充分公开的内容中得到或概括得出的技术方案，并且不得超出说明书公开的范围。权利要求通常由说明书记载的一个或者多个实施方式或实施例概括而成。权利要求的概括应当不超出说明书公开的范围。”根据专利法第二十六条第四款的规定并参照上述审查指南的规定，权利要求限定的保护范围应当与说明书充分公开的技术内容和涉案专利作出的技术贡献程度相适应。如果权利要求限定的保护范围过于宽泛，包括了无法解决涉案专利所要解决的技术问题，实现涉案专利所要实现的技术效果的技术方案，并且本领域技术人员根据说明书充分公开的内容以及现有技术的整体状况，仍然无法合理确定、排除该技术方案的，应当认定该权利要求未能“以说明书为依据”，不符合专利法第二十六条第四款的规定。因此，正确认定涉案专利所要解决的技术问题和所要实现的技术效果，对于认定涉案专利权利要求1-47是否以说明书为依据具有重要意义。

关于专利说明书的撰写，专利法实施细则第十八条第一款规定：“说明书应当包括下列内容：……（二）背景技术：写明对发明或者实用新型的理解、检索、审查有用的背景技术；有可能的，并引证反映这些背景技术的文件；（三）发明内容：写明发明或者实用新型所要解决的技术问题以及解决其技术问题采用的技术方案，并对照现有技术写明发明或者实用新型的有益效果；……（五）具体实施方式：详细写明申请人认为实现发明或者实用新型的优选方式……。”根据上述规定，对于涉案专利所要解决的技术问题、实现的技术效果，以及具体实施方式等，说明书中均应当予以写明。人民法院可以结合说明书中记载的背景技术及其存在的缺陷，发明内容中记载的“发明目的”“所要解决的技术问题”“有益效果”，以及具体实施方式中与“技术问题”“有益效果”相关的内容等，对涉案专利所要解决的技术问题和实现的技术效果进行认定。

本案中，涉案专利说明书中记载的与技术问题、技术效果有关的内容主要包括以下四个方面：第一，关于涉案专利的背景技术。现有的电子货品监视系统（EAS）中的磁力式标识器包括可激活型磁致伸缩元件，以及用于提供偏置磁场的偏磁元件。为了防止存储、装卸、运输时可能会出现的磁场作用下的意外退磁化，一般认为偏磁元件的矫顽磁力至少要为60Oe，例如以矫顽磁力大约为70至80Oe的S材料制作偏磁元件。由于S材料的磁化磁场要达到450Oe或者更高，并使用比较高的AC退活化磁场（接近200Oe实施95%的退磁化），故存在退活化磁场的常规装置必须以脉冲方式进行，以减少能量损耗，必须确保标识器在脉冲出现时在装置附近，容易导致线圈变热，增加装置成本等技术问题。从上述内容可以看出，磁力式标识器包括可激活型磁致伸缩元件和偏磁元件，以及使用具有较高矫顽磁力（70至80Oe）的S材料制作偏磁元件等均属于涉案专利的背景技术，不是涉案专利的技术贡献所在。背景技术存在的技术缺陷本质上与用于制作偏磁元件的S材料的矫顽磁力、退磁化磁场强度较高等材料特性密切相关。本领域技术人员由此容易想到采用矫顽磁力较低的材料制作偏磁元件，以便于对标识器退活化，并且在常规操作（存储、装卸、运输）时不被意外退活化。此时，偏磁元件具体材料的选择显得至关重要。第二，关于涉案专利的发明目的。虽然涉案专利说明书第3页记载了5项发明目的，包括：“强度更低的退活化磁场”“以连续方式而不是以脉冲方式产生退活化磁场”“距离更大的条件下实施退活化”“更容易实施退活化”，以及“强度更低的DC磁场实施活化”，但上述5项发明目的实质上都与用于制作偏磁元件的材料本身的矫顽磁力、退活化磁场强度、活化磁场强度等材料特性密切相关。各项发明目的实质上是从不同角度，对标识器中偏磁元件的退活化或者活化的难易程度进行表述，并非各自完全独立。因此，对于传感电子公司有关涉案专利解决了多个技术问题的主张，本院不予支持。第三，关于涉案专利所要实现的技术效果。说明书第5、6页“发明目的和发明概述”中记载：“根据本发明的原理，磁力式标识器是使用具有相当低的矫顽磁力特性的控制元件构成的，而且当施加有水平相当低的磁场时，标识器的共振频率也可以产生相当急剧的漂移。因此，本发明可以降低由标识器退活化装置所产生的磁场水平，进而使得可以产生连续的退活化磁场。因此，本发明不再需要在退活化装置中配置标识器检测电路，也不再需要由退活化装置的操作者在需要被退活化的标识器位于该退活化装置附近时，人工触发退活化磁场脉冲”“由于本发明可以使用水平更低的退活化磁场，……还可以进一步降低成本”“对于这种根据本发明原理构造的、更容易退活化的标识器，还可以在标识器距离退活化装置相距一定距离时，……实施退活化。”因此，涉案专利中有关有益效果的表述，也均是与标识器及其偏磁元件的退活化难易程度密切相关的。第四，关于涉案专利的具体实施方式。在说明书“具体实施方式”中，涉案专利公开了分别以M材料、SB1材料和V材料制作偏磁元件的3个具体实施例。其中说明书第10页第2段记载的有关第一实施例的有益效果中，记载了：“由于其中的偏磁元件使用诸如M材料等等的、具有相当低的矫顽磁力特性的材料制作的，所以可以用比在常规条件下所需要的强度低得多的AC退活化磁场实施退活化”“可以在不非常靠近退活化装置的位置处实施退活化”“可以在比常规退活化装置低得多的水平下运行”“可以使用速率更低的部件”“并且可以连续地产生退活化磁场”“可以降低与该退活化装置相关的成本”等内容。上述内容，同样也与偏磁元件的退活化难易程度密切相关。

综上，综合考虑说明书中有关背景技术、发明目的、有益效果、具体实施方式等内容，本院认为，涉案专利相对于背景技术作出的改进主要在于以特定材料制作偏磁元件，以使得标识器更容易退活化，并且标识器不会因“存储、运输或装卸时所可能会出现的磁场作用”而意外退活化。因此，被诉决定将涉案专利解决的技术问题认定为“获得在常规操作期间不被意外退活化，同时退活化磁场小于利用Hc≥60Oe（即背景技术中记载的“一般认为的偏磁元件的矫顽磁力”）的偏磁元件的标识器，而不只是单独地去解决现有技术中使用到的某种偏磁元件材料的DC饱和磁场过高（≥450Oe），或实现95%退磁化需要的AC退磁化磁场过大（约为200Oe）的问题”，并无不当。

传感电子公司认为，应当参照审查指南第4章第3.2.1.1节中有关“技术问题”的规定，根据权利要求与“最接近的现有技术”的区别技术特征，参照说明书中的相关内容综合确定技术问题。本院认为，专利法第二十六条第四款规定的“以说明书为依据”涉及的主要是权利要求书与说明书的相互关系问题，相应地，在适用该法律规定的过程中，应当以说明书本身记载的相关内容为基本依据来认定涉案专利要解决的技术问题和实现的技术效果。传感电子公司所援引的审查指南第4章第3.2.1.1节中有关“技术问题”的规定，是在判断权利要求是否具有创造性时，根据权利要求与“最接近的现有技术”的区别技术特征所重新确定的“实际解决的技术问题”。该“实际解决的技术问题”可能并不同于涉案专利要解决的技术问题，不能直接作为认定权利要求是否以说明书为依据的基础。具体理由如下:第一,参照审查指南第二部分第四章3.2.1.1节的规定，重新确定“实际解决的技术问题”的目的是为了在判断权利要求是否具有创造性的过程中，确定“现有技术整体上是否存在某种技术启示，即现有技术中是否给出将上述区别特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题（即“实际解决的技术问题”）的启示”。因此，确定“最接近的现有技术”“实际解决的技术问题”的目的与专利法第二十六条第四款的立法目的并不一致。第二,“实际解决的技术问题”是根据权利要求与“最接近的现有技术”的区别技术特征来认定的。审查指南第二部分第四章3.2.1.1节中例举了确定“最接近的现有技术”的不同方式，以及需要考虑的技术领域、公开的技术特征、技术效果、用途、功能等多种因素，故“最接近的现有技术”的认定是相对的、动态的，并与无效宣告请求人或者审查员的举证、检索情况密切相关。因此，权利要求与“最接近的现有技术”的区别技术特征，以及“实际解决的技术问题”都是相对的、动态的，会随着判断主体选择的“最接近的现有技术”改变而改变。“实际解决的技术问题”往往会不同于说明书中记载的专利要解决的技术问题。第三，在认定权利要求是否以说明书为依据时，并不以该权利要求具有或不具有创造性为前提。如果案件中并未同时涉及该权利要求是否具有“创造性”的争议，自然更不会涉及对“最接近的现有技术”“实际解决的技术问题”的认定。综上，本院对于传感电子公司的主张不予支持。

（二）关于涉案专利说明书中记载的第一实施例、第三实施例是否充分公开？对认定涉案专利权利要求是否以说明书为依据有何影响

参照审查指南第二部分第2章第3.2.1节的规定，权利要求通常由说明书记载的一个或者多个实施例概括而成。在认定权利要求是否以说明书为依据时，应当以说明书中充分公开的技术内容为基础。对于说明书中未能充分公开的内容，由于该部分内容不能达到让本领域技术人员能够实现的程度，不宜将其作为认定权利要求是否以说明书为依据的基础。如果说明书中记载的具体实施方式的技术内容存在明显矛盾，使得本领域技术人员对该具体实施方式的真实性、客观性产生合理怀疑，无法合理确认该具体实施方式能够解决涉案专利所要解决的技术问题，实现涉案专利所要实现的技术效果的，应当认定该具体实施方式未能充分公开。

首先，关于使用M材料制作偏磁元件的第一实施例。根据说明书附图3，在退磁化磁场为35Oe时，标识器可获得最大共振频率漂移。而根据附图5，将M材料制作的完全磁化的偏磁元件放入100Oe的AC退磁化磁场中，将退磁化至完全磁化的5%以下。由于标识器的最大共振频率漂移与偏磁元件的退磁化程度密切相关，故附图3和附图5中公开的上述内容明显矛盾。在涉案专利说明书中没有就标识器与M材料本身的退磁化情况的明显矛盾作出合理说明的情况下，本领域技术人员会对第一实施例的真实性、客观性产生合理怀疑，难以确认第一实施例的技术方案能够解决涉案专利所要解决的技术问题，实现涉案专利所要实现的技术效果。因此，被诉决定认定第一实施例未能充分公开，不能作为认定权利要求1-47是否以说明书为依据的基础，并无不当。

其次，关于使用V材料制作偏磁元件的第三实施例。说明书第12页中记载：“V材料的矫顽磁力为22.7Oe。”但根据说明书附图11，当DC磁场大于18Oe后，标识器的共振频率向标准共振频率漂移，意味着偏磁元件开始反向充磁。涉案专利说明书中虽然公开了“当施加有某一低水平的退磁化磁场，频率漂移和幅度特性曲线将保持有相当大的稳定性，……采用V材料的标识器将具有一定的‘屏蔽’效应”。但是，根据附图11，仅在DC磁场为10Oe以下时，频率漂移和幅度特性曲线才是稳定的。而在10Oe至14Oe之间，频率漂移将有超过1.6KHz的显著变化，相应的漂移梯度将超过400Hz/Oe。因此，虽然涉案专利说明书中公开了当施加低水平的退磁化磁场（10Oe以下）时，磁致伸缩元件的“屏蔽”效应会导致频率漂移和幅度特性曲线具有稳定性，但并没有公开在DC磁场为22.7Oe或18Oe时，磁致伸缩元件仍然具有“屏蔽”效应，进而实质性地影响以V材料制作的偏磁元件及标识器的退活化。综上，说明书第12页记载的矫顽磁力“22.7Oe”与本领域技术人员从附图11中看到的信息（DC磁场大于18Oe后，标识器的共振频率向标准共振频率漂移）明显矛盾，使得本领域技术人员对第三实施例的真实性、客观性会产生合理怀疑，无法合理确认第三实施例的技术方案能够解决涉案专利所要解决的技术问题，实现涉案专利所要实现的技术效果。因此，被诉决定认定第三实施例不能作为认定权利要求1-47是否以说明书为依据的基础，亦无不当。

最后，在涉案专利说明书中，并没有明确记载M材料、SB1材料或者V材料的矫顽磁力可以在一定范围内变化。相反，涉案专利说明书明确记载了对SB1材料以特定方式退火处理后，可获得矫顽磁力为19Oe的材料，并将该材料用于制作偏磁元件。因此，对于传感电子公司有关“涉案专利中有关材料的矫顽磁力为参考值，可在一定范围内变化”的主张，本院不予支持。

综上，涉案专利说明书中记载的有关第一实施例、第三实施例的技术内容未能充分公开，不能作为认定权利要求1-47是否“以说明书为依据”的基础。被诉决定认定“以M材料和V材料为偏磁元件的实施例中均存在偏磁材料特性与标识器特性相矛盾的描述，……这两个实施例不属于说明书中充分公开的内容”并无不当，传感电子的相关申请再审理由不能成立。

二审判决认为：“即便涉案专利说明书所记载的三个实施例不存在公开不充分的问题，……并不能克服涉案专利权利要求未以说明书为依据的缺陷。”上述认定已经充分考虑了传感电子公司有关涉案专利说明书充分公开的上诉理由。因此，传感电子公司有关二审法院遗漏其上诉理由，违反法定程序的申请再审理由不能成立。

（三）关于权利要求1-47是否以说明书为依据，符合专利法第二十六条第四款的规定

根据专利法第一条的规定，在一定期限内授予专利权的目的在于鼓励发明创造，提高创新能力，促进科学技术进步和经济社会发展。在适用本案所涉及的专利法第二十六条第四款有关“权利要求应当以说明书为依据”的规定时，亦应当符合上述立法目的。一方面，权利人有权在说明书充分公开的具体实施方式等内容的基础上，通过合理概括的方式撰写权利要求，以获得适度的保护范围而不仅仅限于具体实施方式本身，从而给发明创造提供必要、适度的激励。另一方面，权利要求限定的保护范围应当与涉案专利的技术贡献和说明书充分公开的范围相适应，以免过宽的保护范围阻碍科学技术的进步。“权利要求应当以说明书为依据”是维护权利人与社会公众的利益平衡，防止专利权侵蚀公有领域，为后续创新保留必要空间的重要制度保障。

本案中，涉案专利说明书中记载的三个实施例中，仅有第二实施例充分公开，故本院主要根据说明书中记载的第二实施例，以及说明书中记载的其他有关内容，对权利要求1-47是否以说明书为依据进行认定。根据说明书的记载，第二实施例的偏磁元件采用了在低于20Oe的磁场中不具有稳定区域的SB1材料制作。经过特定退火处理后的SB1材料的矫顽磁力大约为19Oe，采用低至15Oe的AC磁场即可以基本退磁化至完全磁化的大约70%。尽管SB1材料在低水平AC磁场中不具有稳定性，但如果将该材料作为偏磁元件，配置在与采用2628CoA合金材料制作的可激活型元件相接近的位置处，由于可激活型元件作为分流器所提供的屏蔽作用，可以保护SB1材料制作的偏磁元件免受退磁化磁场的影响，标识器在相当低的AC磁场中也具有相当高的稳定性。而当退磁化磁场水平超过15Oe左右时，可激活型元件的导磁性将急剧降低，从而使偏磁元件在退磁化磁场中退磁。当退磁化磁场的水平为20-30Oe时，共振频率漂移特性曲线呈急剧变化，梯度将超过100Hz/Oe。当施加的退磁化磁场强度低于50Oe时，将产生非常大的共振频率漂移（大于1.5KHz），而且A1输出信号基本上已经被消除。综上，第二实施例作出的主要贡献在于以特定的材料SB1制作偏磁元件，以2628CoA合金材料作为可激活型元件，并且可激活型元件在较低磁场水平下具有屏蔽作用，使得标识器及其中的偏磁元件在较低的退磁化磁场中不被意外退磁化。而在比背景技术中的S材料更低的退磁化磁场强度（20至30Oe）中，第二实施例的标识器很容易退磁化。由于在涉案专利说明书的背景技术中，已经记载了标识器、偏磁元件、可激活型元件，以及现有偏磁元件材料（S材料）存在的矫顽磁力较高，不易磁化和退活化等问题，故所述内容并非涉案专利的贡献所在。此外，涉案专利说明书中没有公开涉案专利的改进在于偏磁元件或者可激活型元件的材料选择标准等内容，因此，对于再审申请人有关涉案专利对现有技术的贡献是如何根据特定的物理参数选择标准来选择磁性材料的主张，本院不予支持。

基于上述认定，本院对权利要求1-47是否以说明书为依据分别认定如下：

1.关于被诉决定宣告无效的权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46-47（以下统称宣告无效的权利要求）

首先，除权利要求34、35之外，宣告无效的权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、37-42、44、46-47中均没有限定制作偏磁元件、磁致伸缩元件的具体材料，而是以材料或者标识器应当具有的某种或某几种特性及其参数范围来限定权利要求的保护范围。例如，在权利要求1-3中仅限定了标识器在退活化磁场中共振频率的“漂移梯度”,在权利要求4中则仅限定了偏磁元件的矫顽磁力小于55Oe，在权利要求9中则仅限定了偏磁元件达到饱和时所需的磁化水平。本院认为，根据涉案专利说明书的记载，SB1材料、2628CoA合金以及由其制作的标识器具有多种材料特性，仅仅在权利要求中限定某项或者某几项特定的特性及其参数范围，则限定的保护范围中不仅包括了涉案专利第二实施例的技术方案，也包括了其他数目无法穷尽，由各种已知甚至未知的材料制作的偏磁元件以及标识器。而对于哪些具体材料可用于实施涉案专利技术方案，本领域技术人员基于涉案专利说明书充分公开的技术内容，涉案专利作出的技术贡献，以及现有技术的整体状况，难以作出合理的预测，而是必须通过大量的选择、实验验证甚至发现，才能确认在所述权利要求所限定的范围内的哪些具体材料能够，或者不能解决涉案专利所要解决的技术问题，实现涉案专利所要实现的技术效果。而且，在权利要求1-3中仅限定了标识器在退活化磁场中共振频率的“漂移梯度”,在权利要求4中仅限定了偏磁元件的矫顽磁力小于55Oe，在权利要求9中仅限定了偏磁元件达到饱和时所需的磁化水平等情况下，所述权利要求也不能解决涉案专利所要解决的技术问题，实现涉案专利所要实现的技术效果。综上，权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、37-42、44、46-47的保护范围明显超出了涉案专利说明书充分公开的程度和涉案专利的技术贡献程度，未能以说明书为依据。被诉决定关于上述权利要求不符合专利法第二十六条第四款规定的认定正确。

其次，关于权利要求34、35。权利要求34引用权利要求30，限定了“偏磁元件以V材料形成”；权利要求35引用权利要求34，进一步限定了“磁致伸缩元件由2628CoA材料形成”。由于涉案专利说明书中有关V材料的第三实施例未能充分公开，故第三实施例不能作为认定权利要求34、35是否以说明书为依据的基础。在缺乏具体实施方式支持的情况下，被诉决定认定权利要求34、35不符合专利法第二十六条第四款的规定并无不当。

2.关于被诉决定维持有效的权利要求5、8、13、19、27、28、31、32、33、36、43和45（以下统称维持有效的权利要求）

首先，关于本案的审理范围。《中华人民共和国行政诉讼法》（以下简称行政诉讼法）第六条规定：“人民法院审理行政案件，对行政行为是否合法进行审查。”根据该规定，人民法院可主要根据当事人提出的诉讼请求以及主张的事实和理由，对被诉决定的合法性进行审理，但并不以此为限。人民法院发现被诉决定存在违反法律规定的其他情形的，可以一并审查。本案中，专利复审委员会作出被诉决定，于权利要求5、8、13、19、27、28、31、32、33、36、43和45的基础上维持涉案专利权继续有效。虽然讯强公司没有提起行政诉讼，传感电子公司在起诉时也没有对被诉决定中维持上述权利要求有效的认定提出异议，但本院在对前述宣告无效的权利要求审理过程中，发现维持有效的权利要求中的大部分权利要求同样存在未能以说明书为依据的情形，不符合专利法第二十六条第四款的规定。本院认为，如果对被诉决定中有关维持有效的权利要求的错误认定部分不予纠正，则被错误维持有效的权利要求会使得专利权人仍然享有排他权，会对他人的合法权益和社会公共利益带来不应有的限制。而且，参照审查指南第四部分第三章有关无效宣告请求“一事不再理原则”的相关规定，其他人今后针对被错误维持有效的权利要求，以同样的理由再行主张其不符合专利法第二十六条第四款的规定时，专利复审委员会将基于本案被诉决定而“不予受理或者审理”。综上，为了监督专利复审委员会依法行政，避免错误维持有效的权利要求损害第三人的合法权益和社会公共利益，本院在充分听取各方当事人意见的基础上，根据行政诉讼法第六条的规定对维持有效的权利要求是否符合专利法第二十六条第四款的规定一并进行审理，并分别认定如下：

首先，关于权利要求5、8、13、19、27、28、36、43和45。所述权利要求中没有限定制作偏磁元件、磁致伸缩元件的具体材料，而是以偏磁元件或者标识器具有的某种或某几种特性及其参数范围来限定权利要求的保护范围。基于与前述权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、37-42、44、46-47相同的理由，本院认为权利要求5、8、13、19、27、28、36、43和45同样未能以说明书为依据，不符合专利法第二十六条第四款的规定。被诉决定错误认定所述权利要求符合专利法第二十六条第四款的规定，继而错误维持所述权利要求有效，认定事实和适用法律均有错误，应予撤销。

其次，关于权利要求31、33。其中，权利要求31引用权利要求30，权利要求33引用权利要求31，两项权利要求基于涉案专利说明书中充分公开的第二实施例，在权利要求30的基础上分别进一步限定了“偏磁元件由SB1材料形成”，以及“磁致伸缩元件由2628CoA材料形成”。本院认为，权利要求31、33限定的保护范围与涉案专利的技术贡献和公开范围相适应，能够解决涉案专利所要解决的技术问题，实现涉案专利所要实现的技术效果，符合专利法第二十六条第四款的规定。被诉决定维持权利要求31、33有效的认定正确，应予维持。

复次，关于权利要求32。虽然其形式上引用权利要求31，但又限定了“偏磁元件由Metglas2628MB材料形成”，故权利要求32实质上是以“Metglas2628MB材料”替代了权利要求31中的“SB1材料”，与权利要求31构成并列的技术方案，不再是权利要求31的从属权利要求。由于涉案专利说明书中没有公开有关Metglas2628MB材料的具体实施方式，本领域技术人员不能合理确认权利要求32限定的技术方案能够解决涉案专利所要解决的技术问题，实现所要实现的技术效果，故权利要求32未能以说明书为依据，不符合专利法第二十六条第四款的规定。被诉决定未能对权利要求32限定的技术方案进行具体分析，简单地以“其从属权利要求32……也符合专利法第二十六条第四款的规定”为由，错误维持权利要求32有效，认定事实和适用法律均有错误，应予撤销。

最后，传感电子公司认为，被诉决定认定涉案专利各项权利要求相对于现有技术具有区别技术特征，具有创造性，说明各项权利要求相对于现有技术解决了各自要解决的技术问题，保护范围适当，符合专利法第二十六条第四款的规定。本院认为，专利法第二十二条第三款、第二十六条第四款分别对创造性和权利要求应当以说明书为依据做出规定。因此，即使权利要求具备创造性，对于其中记载的包括区别技术特征在内的各项技术特征是否概括适当，以及权利要求限定的技术方案整体上是否概括适当，仍然需要专利法第二十六条第四款的规定来进行认定。尤其是，在权利要求相对于现有技术具备区别技术特征，且现有技术整体上未能给出技术启示的情况下，如果该区别特征概括得过于宽泛，未能以说明书为依据，则只能依据专利法第二十六条第四款的规定请求宣告该权利要求无效。专利法中有关创造性、权利要求以说明书为依据的规定分别从不同角度，对权利要求的合法性进行规范和调整，共同保障专利制度的运行符合立法目的。综上，创造性和以说明书为依据均属于权利要求应当满足的法律规定，应当分别进行认定，本院对于传感电子公司的主张不予支持。

关于本案的处理方式。行政诉讼法第七十条规定：“行政行为有下列情形之一的，人民法院判决撤销或者部分撤销，并可以判决被告重新作出行政行为：……”根据该规定，在被诉决定中的各项认定属于可以区分的情况下，人民法院可以依法判决部分撤销被诉决定中的有关认定。本案中，被诉决定对权利要求1-47是否符合专利法的有关规定分别作出认定。由于每一项权利要求是一项独立的技术方案，其单独限定保护范围，也可以单独用于主张专利权的保护，或者单独被宣告无效，故被诉决定中关于各项权利要求的合法性的认定是可以区分的。此外，被诉决定中涉及专利法第二十二条第三款，第二十六条第三款、第四款，第三十三条等不同法律规定，被诉决定就相关权利要求是否符合所述法律规定也是分别作出认定，故被诉决定中关于各个法律规定的认定亦属于可以区分的情形。综上，本案可区分不同权利要求以及不同的法律规定，对被诉决定中的相关认定分别审理并作出认定，部分撤销被诉决定中认定错误的部分。由此可以避免不加区分地一并撤销被诉决定，使得已经由被诉决定宣告无效的权利要求又回复为有效状态，对既已稳定的权利义务关系和社会公众的合理信赖造成损害。由此也可避免不必要地增加专利复审委员会重新作出审查决定时的行政成本，避免循环诉讼。

综上，对于被诉决定中有关权利要求1-47是否以说明书为依据的认定，本院分为以下三种方式分别处理：第一，关于权利要求1-4、6、7、9-12、14-18、20-26、29、30、34、35、37-42、44、46-47，被诉决定认定所述权利要求未能以说明书为依据，不符合专利法第二十六条第四款规定，宣告所述权利要求无效的认定正确，本院对于传感电子公司的相关申请再审理由不予支持。第二，关于权利要求31、33，被诉决定认定该两项权利要求符合专利法第二十六条第四款规定，维持该两项权利要求有效的认定正确。第三，关于权利要求5、8、13、19、27、28、32、36、43和45，被诉决定认定所述权利要求符合专利法第二十六条第四款规定，维持所述权利要求有效的认定错误，对被诉决定中的该部分认定应予部分撤销，由专利复审委员会针对所述权利要求是否符合专利法第二十六条第四款的规定另行作出审查决定。一审判决错误维持被诉决定，二审判决驳回上诉，均有错误，应予相应撤销。

依照《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款、第二十六条第三款、第二十六条第四款，《中华人民共和国行政诉讼法》第六条、第七十条、第八十九条第一款第（二）项、《最高人民法院关于执行<中华人民共和国行政诉讼法>若干问题的解释》第七十六条第一款、第七十八条规定，本院判决如下：

一、部分撤销国家知识产权局专利复审委员会第18161号无效宣告请求审查决定中有关权利要求5、8、13、19、27、28、32、36、43和45符合专利法第二十六条第四款规定，维持所述权利要求有效的认定，由国家知识产权局专利复审委员会就所述权利要求是否符合专利法第二十六条第四款的规定重新作出审查决定；

二、撤销北京市第一中级人民法院(2012)一中知行初字第2111号行政判决；

三、撤销北京市高级人民法院（2013）高行终字第961号行政判决。

一审案件受理费100元，二审案件受理费100元，均由传感电子有限责任公司负担。

本判决为终审判决。

审　判　长　　王艳芳

审　判　员　　钱小红

代理审判员　　杜微科

二〇一七年三月二十三日

书　记　员　　崔心驰